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凌力爾特公司推出0V至18V理想二極管控制器 LTC4352

  •   MOSFET 理想二極管控制器在低壓應用中,為堅固的電源“或”提供快速接通和關(guān)斷   凌力爾特公司(Linear Technology Corporation)日前推出 0V 至 18V 理想二極管控制器 LTC4352,該器件使多個(gè)電源能夠進(jìn)行低損耗“或”連接而對電源電壓有最小干擾。LTC4352 調節外部 N 溝道 MOSFET 上的正向壓降,以確保在二極管“或”應用中電源之間平滑傳送電流。在低壓系統中,控制器之間的慢切換導
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提升輕負載和高頻率下DC/DC的轉換效率

中國功率半導體器件市場(chǎng)正經(jīng)歷風(fēng)雨轉折

  •   受到市場(chǎng)需求減緩以及庫存調整等問(wèn)題的影響,2007年,中國功率器件市場(chǎng)增長(cháng)率較2006年出現較大幅度的下降,市場(chǎng)銷(xiāo)售額為762.3億元,比2006年增長(cháng)了13.3%。                   在中國功率器件市場(chǎng)中,電源|穩壓器管理IC仍舊占據市場(chǎng)首要位置,MOSFET位于第二位,大功率晶體管位于第三位,此三大產(chǎn)品銷(xiāo)售額占到整體市場(chǎng)的80%
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卓芯微電子推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品

  •   卓芯微電子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品RCRH010FA 和RCRH003FB。P溝道增強型場(chǎng)效應管采用高密度DMOS生產(chǎn)工藝,具有極低的導通電阻,并且在低至1.8V的柵極電壓下仍可正常開(kāi)啟。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工藝,同時(shí)具有極佳的反向漏電特性。   該兩款產(chǎn)品主要應用在充電電路,DC/DC 轉換器和LED控制電路。整個(gè)器件在正向導通時(shí)具有很低的正向壓降,不僅滿(mǎn)足使用USB接口進(jìn)行充電的要求,同時(shí)具有極低的功率耗散,提升整個(gè)系統的能效。   這兩款產(chǎn)
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汽車(chē)電子功率MOSFET技術(shù)

  • 過(guò)去15到20年間,汽車(chē)用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話(huà)題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受...
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Maxim推出高壓、高速MOSFET驅動(dòng)器

  •   Maxim推出高壓、高速MOSFET驅動(dòng)器MAX15018/MAX15019,用于驅動(dòng)高邊和低邊n溝道MOSFET。器件具有高端(HS)引腳,允許高達125V的輸入電壓,該指標優(yōu)于競爭產(chǎn)品的105V電壓。MAX15018/MAX15019與工業(yè)標準的HIP2100IB和HIP2101IB引腳兼容,理想用于必須承受100V或更高瞬態(tài)電壓的電信電源產(chǎn)品中,保證足夠的安全裕量。   MAX15018/MAX15019提供3A源出/吸入峰值電流,傳輸延遲僅為35ns (典型值),驅動(dòng)器之間能夠保證2ns (
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ST推出250A功率MOSFET 提高電機驅動(dòng)能效

  •   意法半導體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管,新產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最低的導通電阻,可以把功率轉換損耗降至最低,并提高系統性能。   新產(chǎn)品STV250N55F3是市場(chǎng)上首款整合ST PowerSO-10™ 封裝和引線(xiàn)帶楔焊鍵合技術(shù)的功率MOSFET,無(wú)裸晶片封裝的電阻率極低。新產(chǎn)品采用ST的高密度STripFET III™ 制程,典型導通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點(diǎn)包括:開(kāi)關(guān)損耗低,抗雪崩性能強。除提高散熱效率外,九線(xiàn)源極連接配置還有助于
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性能差異化功率器件制造面臨多重挑戰

  •   不同應用對功率半導體器件提出了新的需求,包括低功耗、高可靠性、高速度、小尺寸等,這些新的需求又對功率半導體器件的生產(chǎn)工藝提出了種種新的挑戰。   天津中環(huán)半導體股份有限公司技術(shù)部部長(cháng)饒祖剛表示,性能不同的功率半導體器件滿(mǎn)足了差異化應用的需求,而這些不同功率半導體器件對制造工藝提出了多重挑戰。   功率器件要滿(mǎn)足差異化應用需求   功率半導體器件工作在大功率條件下,除了要具備低功耗的特點(diǎn)外,不同的應用還提出了一些新需求。例如,在電動(dòng)車(chē)、混合動(dòng)力汽車(chē)這樣的應用中,功率半導體器件需要
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凌力爾特推出100V高端/低端N溝道高速MOSFET驅動(dòng)器

  •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅動(dòng)器 LTC4446,用來(lái)驅動(dòng)雙晶體管正激式轉換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個(gè)驅動(dòng)器與功率 MOSFET 和一個(gè)凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起,可組成一個(gè)完整的高效率雙晶體管正激式轉換器,或者可以配置為快速動(dòng)作的高壓 DC 開(kāi)關(guān)。   這個(gè)強大的驅動(dòng)器以 1.2Ω 下拉阻抗驅動(dòng)高端 MOSFET 時(shí)可以提供高達 2.5A 的電流
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凌力爾特推出高速同步MOSFET驅動(dòng)器LTC4447

  •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動(dòng)器 LTC4447,該器件用來(lái)在同步整流轉換器拓撲中驅動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個(gè)驅動(dòng)器加上功率 MOSFET 和一個(gè)凌力爾特公司的 DC/DC 控制器,就可組成一個(gè)完整的高效率同步穩壓器,該穩壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉換器。   LTC4447 在一個(gè) 4V 至 6.5V 的電壓范圍內對上端和下端 MOSFET 柵極進(jìn)行軌至軌驅動(dòng),并可從一個(gè)高達 38V 的電
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Vishay推出新型20V P 通道TrenchFET? 功率 MOSFET

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB,該器件采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝,具有業(yè)界最小占位面積以及 1.2 V 時(shí)業(yè)界最低的導通電阻。   隨著(zhù)便攜式電子設備的體積越來(lái)越小以及它們功能的不斷增加,電源管理電路的可用板面空間會(huì )極大減少。為實(shí)現消費者對用電池做電源的電子設備的更長(cháng)運行時(shí)間的期望,
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凌力爾特推出100V高端/低端N溝道高速MOSFET驅動(dòng)器

  •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅動(dòng)器 LTC4446,用來(lái)驅動(dòng)雙晶體管正激式轉換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個(gè)驅動(dòng)器與功率 MOSFET 和一個(gè)凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起,可組成一個(gè)完整的高效率雙晶體管正激式轉換器,或者可以配置為快速動(dòng)作的高壓 DC 開(kāi)關(guān)。   這個(gè)強大的驅動(dòng)器以 1.2Ω 下拉阻抗驅動(dòng)高端 MOSFET 時(shí)可以提供高達 2.5A 的電流
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Linear推出100V高端/低端N溝道高速MOSFET驅動(dòng)器

  •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅動(dòng)器 LTC4446,用來(lái)驅動(dòng)雙晶體管正激式轉換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個(gè)驅動(dòng)器與功率 MOSFET 和一個(gè)凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起,可組成一個(gè)完整的高效率雙晶體管正激式轉換器,或者可以配置為快速動(dòng)作的高壓 DC 開(kāi)關(guān)。   這個(gè)強大的驅動(dòng)器以 1.2Ω 下拉阻抗驅動(dòng)高端 MOSFET 時(shí)可以提供高達 2.5A 的電流
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凌力爾特推出60V高壓側電流檢測 DC/DC 轉換器

  •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 60V、高壓側電流檢測 DC/DC 轉換器 LT3755,該器件為驅動(dòng)大電流 LED而設計。4.5V 至 40V 的輸入電壓范圍使其適用于多種應用,如汽車(chē)、工業(yè)和建筑照明。LT3755 使用外部 N 溝道 MOSFET,可以用標稱(chēng) 12V 的輸入驅動(dòng)多達 14 個(gè) 1A 的白光 LED,提供超過(guò) 50W 的功率。該器件具高壓側電流檢測,能夠用在升壓、降壓、降壓-升壓或 SEPIC 和反激式拓撲中。LT3755 在升壓模
  • 關(guān)鍵字: 凌力爾特  轉換器  高壓側電流檢測  LED  MOSFET  

Maxim推出內置MOSFET開(kāi)關(guān)的8串白光LED (WLED)驅動(dòng)器

  •   Maxim推出內置MOSFET開(kāi)關(guān)的8串白光LED (WLED)驅動(dòng)器MAX17061。器件采用內部開(kāi)關(guān)型電流模式升壓控制器驅動(dòng)LED陣列,最多可驅動(dòng)8串并聯(lián)的LED (每串可連接10個(gè)LED)。為保證均勻的LED亮度,每串LED采用一個(gè)電流源驅動(dòng),各串之間的電流均衡精度可達±1.5%。另外,MAX17061還提供一路DPWM信號,用于精確控制WLED亮度。該DPWM信號可通過(guò)PWM接口、SMBus™兼容接口、或這兩者同時(shí)進(jìn)行控制。DPWM信號的頻率由外部電阻設置,進(jìn)一步增加
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