EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
fdz197pz
fdz197pz 文章 進(jìn)入fdz197pz技術(shù)社區
飛兆半導體推出一款單一P溝道MOSFET器件
- 飛兆半導體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話(huà)、手機、上網(wǎng)本、醫療和其它便攜式應用的設計人員帶來(lái)一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠實(shí)現更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時(shí)提供64mOhm之RDS(ON) 值，較同類(lèi)解決方案低15%，且占位面積僅為1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同時(shí)減少了電路板空間需求。該器件采用WL-CSP封裝，比占位面積相似的傳統塑料封裝MOSFET具有更佳功耗和傳導損耗特性。FDZ197P
- 關(guān)鍵字： Farichild MOSFET FDZ197PZ ESD
| 共1條 1/1 1 |
fdz197pz介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條fdz197pz!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對fdz197pz的理解，并與今后在此搜索fdz197pz的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對fdz197pz的理解，并與今后在此搜索fdz197pz的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473