IR 推出IRF6718 DirectFET MOSFET

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動(dòng)態(tài)ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開(kāi)關(guān)應用達到最佳效果。

　　IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術(shù)，提供極低的通態(tài)電阻(在10V Vgs時(shí)典型為0.5mΩ)，同時(shí)比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關(guān)旁路元件的傳導損耗，從而大大提高整體系統的效率。

　　IR亞洲區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“IRF6718是IR第一款采用大罐式DirectFET封裝的器件，與同類(lèi)器件相比擁有更低的通態(tài)電阻，可實(shí)現卓越的效率及熱性能，適合于高密度DC-DC應用，如比D2PAK尺寸更小的服務(wù)器。另外，該器件還有助于節省電路板空間及整體系統的成本，因為在特定功率損耗下，它比現有解決方案使用更少的器件。”

　　此外，IRF6718為電子保險絲及熱插拔電路實(shí)現了改善的安全工作區(SOA)能力。該器件采用無(wú)鉛設計，并符合RoHS標準。

　　IRF6718是IR針對DC開(kāi)關(guān)應用的25V DirectFET系列的衍生產(chǎn)品。IRF6717中罐式和IRF6713小罐式DirecFET也適合DC開(kāi)關(guān)應用，并且在各自的PCB尺寸內提供業(yè)界最佳的通態(tài)電阻。