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NXP推出的高性能小信號MOSFET SOT883
- 恩智浦半導體（NXP Semiconductors）發(fā)布了全新的小信號MOSFET器件系列，新產(chǎn)品采用了全球最小封裝之一的SOT883進(jìn)行封裝。恩智浦SOT883 MOSFET面積超小，僅為1.0 x 0.6毫米，與SOT23相比，功耗和性能不相上下，卻只需占據14%的印刷電路板空間。SOT883 MOSFET針對眾多應用而設計，包括DC/DC電源轉換器模塊、液晶電視電源以及手機和其他便攜設備的負載開(kāi)關(guān)。SOT883 MOSFET具有超小的面積、0.5毫米的超薄厚度、最佳的開(kāi)關(guān)速度和非常低的Rds(on)
- 關(guān)鍵字： MOSFET
什么是MOSFET
- “MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫(xiě)，譯成中文是“金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。 MOSFET共有三個(gè)腳，一般為G、D、S，通過(guò)G、S間加控制信號時(shí)可以改變D、S間的導通和截止。功率MO
- 關(guān)鍵字： MOSFET
可降低油耗的汽車(chē)電子系統
- 我們如何才能使汽車(chē)駕駛室具備更多的功能，使發(fā)動(dòng)機具有更大的功率，同時(shí)還能夠符合各國政府對每加侖行駛距離的要求?只有采用新一代的低導通電阻功率 MOSFET將汽車(chē)中傳統的電力系統和液壓系統改為電子系統，這些MOSFET不但可以提高汽車(chē)的舒適性和安全性，還能夠提高燃油的行駛距離。 發(fā)動(dòng)機不僅僅要讓汽車(chē)在路上行駛，還要為整個(gè)汽車(chē)系統提供動(dòng)力?，F在人們對汽車(chē)的娛樂(lè )性、舒適性及安全性的要求越來(lái)越高。通過(guò)深入分析發(fā)現，對于一輛普通的汽車(chē)，每加侖的汽油所產(chǎn)生的能量最終用在車(chē)輪行駛上的不到15%，而大部分的能量
- 關(guān)鍵字： MOSFET 油耗
MOSFET的開(kāi)關(guān)速度將決定未來(lái)POL電源的性能
- 一個(gè)采用directfet mosfet并基于四相同步整流器的vrm能夠于高達2mhz/相位下工作，并提供120a電流，且滿(mǎn)足負載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應要求。 與十年之前以單元密度和導通電阻作為器件設計的主要考慮因素相比，功率mosfet技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著(zhù)一場(chǎng)重大的變革。如今，并在可以預見(jiàn)的未來(lái)，開(kāi)關(guān)速度正在逐步成為負載點(diǎn)(pol)電源應用的決定性因素。對于工作電壓為1v或以下且對時(shí)鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開(kāi)關(guān)速度是滿(mǎn)足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率mosfet能
- 關(guān)鍵字： MOSFET POL 電源 放大器
Maxim推出內置低導通阻抗開(kāi)關(guān)的高效率雙路3A/5A降壓調節器
- Maxim推出MAX8833/MAX8855，該系列器件是業(yè)界第一款具有以下功能的降壓型調節器：工作在3.3V或2.5V輸入下，分別可提供雙路3A或雙路5A輸出，并且內置開(kāi)關(guān)可最大程度節省空間。除了節省空間外，器件由于采用內部MOSFET，因此可有效地工作在低輸入電壓下，這是采用大尺寸、分立MOSFET所不可能實(shí)現的。在低壓應用中，分立的競爭方案需要更高電壓實(shí)現完全導通，相比較而言，內部MOSFET則可提供更優(yōu)異的性能。MAX8833/MAX8855分別具有49mΩ和37mΩ低導通阻抗，可以以超過(guò)1M
- 關(guān)鍵字： Maxim 調節器 MOSFET 其他IC 制程
用于有源電力濾波器的IGBT驅動(dòng)及保護研究
- l 前言 絕緣柵場(chǎng)效應晶體管(IGBT)作為一種復合型器件，集成了MOSFET的電壓驅動(dòng)和高開(kāi)關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點(diǎn)，在電機控制、開(kāi)關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著(zhù)廣泛的應用。本文對應用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專(zhuān)有EXB84l型驅動(dòng)器的設計進(jìn)行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅動(dòng)電路。 有源電力濾波器設計中應用4個(gè)IGBT作為開(kāi)關(guān)，并用4個(gè)EXB84l組成驅動(dòng)電路，其原理如圖l所示。在實(shí)驗中，根據補償電流與指令電流的關(guān)系，用數字信號處理器(DSP
- 關(guān)鍵字： IGBT MOSFET 場(chǎng)效應晶體管 電源
電源管理和MOSFET推動(dòng)中國功率器件市場(chǎng)發(fā)展
- 全球能源需求的不斷增長(cháng)以及環(huán)境保護意識的逐步提升使得高效、節能產(chǎn)品成為市場(chǎng)發(fā)展的新趨勢。為此，電源|穩壓器管理芯片、MOSFET等功率器件越來(lái)越多的應用到整機產(chǎn)品中。在整機市場(chǎng)產(chǎn)量不斷增加以及功率器件在整機產(chǎn)品中應用比例不斷提升的雙重帶動(dòng)下，中國功率器件市場(chǎng)在2007-2011年將繼續保持快速增長(cháng)，但由于市場(chǎng)基數的不斷擴大，市場(chǎng)增長(cháng)率將逐年下降。預計到2011年時(shí)中國功率器件市場(chǎng)銷(xiāo)售額將達到1680.4億元，2007-2011年中國功率器件市場(chǎng)年均復合增長(cháng)率為19.1%。這其中電源管理IC、MOSFE
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) MOSFET 芯片 IC 元件 制造
功率場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)原理
- 功率場(chǎng)效應管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅動(dòng)功率小,開(kāi)關(guān)速度高、無(wú)二次擊穿、安全工作區寬等特點(diǎn)。由于其易于驅動(dòng)和開(kāi)關(guān)頻率可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應用于DC/DC變換、開(kāi)關(guān)電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車(chē)等電子電器設備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。 一、電力場(chǎng)效應管的結構和工作原理 電力場(chǎng)效應晶體管種類(lèi)和結構有許多種，按導電溝道可分為P溝道和N溝道，同時(shí)
- 關(guān)鍵字： MOSFET 半導體材料
功率模塊市場(chǎng)增長(cháng) 產(chǎn)業(yè)發(fā)展迫在眉睫
- 功率半導體器件的應用迄今已有50年歷史，自上世紀80年代以來(lái)，隨著(zhù)新型功率半導體器件尤其是電源管理芯片的蓬勃發(fā)展，功率器件極大地拓展了應用領(lǐng)域。全球各大廠(chǎng)商也不失時(shí)機地加大研發(fā)力度，占領(lǐng)市場(chǎng)高地。 發(fā)展功率半導體產(chǎn)業(yè)迫在眉睫 目前，我國功率半導體企業(yè)生產(chǎn)條件和產(chǎn)品大都停留在國外上世紀70年代的水平。有個(gè)別集成電路企業(yè)制造一些小電流低檔老產(chǎn)品的VD-MOSFET，IGBT、平面型快恢復和超快恢復二極管完全不能制造。因此，我國市場(chǎng)用的功率器件約90%依賴(lài)進(jìn)口，其余約10%低檔產(chǎn)品是自己制造的。
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 功率 半導體 VD-MOSFET 模擬IC 電源
基于MOSFET控制的PWM型直流可調電源的研制
- 引 言 功率場(chǎng)效應管MOSFET是一種單極型電壓控制器件，它不但具有自關(guān)斷能力，而且具有驅動(dòng)功率小，關(guān)斷速度快等優(yōu)點(diǎn)，是目前開(kāi)關(guān)電源中常用的開(kāi)關(guān)器件。采用MOSFET 控制的開(kāi)關(guān)電源具有體積小、重量輕、效率高、成本低的優(yōu)勢，因此，較適合作儀器電源。本文給出了一種由MOSFET 控制的大范圍連續可調(0～45V) 的小功率穩壓電源設計實(shí)例。 總體結構與主電路 圖1 為該電源的總體結構框圖。工作原理如下： 圖1 原理方框圖 全橋整流電路將電網(wǎng)電壓220V
- 關(guān)鍵字： 消費電子 MOSFET 功率場(chǎng)效應管 PWM 電源
選擇正確的MOSFET：工程師所需要知道的
- 隨著(zhù)制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，系統設計人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標才能做出正確選擇。本文將討論如何根據RDS(ON)、熱性能、雪崩擊穿電壓及開(kāi)關(guān)性能指標來(lái)選擇正確的MOSFET。 MOSFET的選擇 MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導通。導通時(shí)
- 關(guān)鍵字： MOSFET 元件 制造
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