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powertrench 文章 進(jìn)入powertrench技術(shù)社區
利用PowerTrench MOSFET應對更高功率密度的新挑戰
- 引言隨著(zhù)社會(huì )經(jīng)濟從紙張型向數字信息管理型方向發(fā)展，用于數據處理、存儲和網(wǎng)絡(luò )的數據中心在個(gè)人業(yè)務(wù)、學(xué)術(shù)...
- 關(guān)鍵字： PowerTrench MOSFET
Fairchild升壓開(kāi)關(guān)為高頻步進(jìn)DC-DC設計實(shí)現高效率
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的升壓開(kāi)關(guān)產(chǎn)品FDFME3N311ZT，有助提高手機、醫療、便攜和消費應用設計的升壓轉換電路效率。該器件結合了30V集成式N溝道PowerTrench® MOSFET和肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值55pF) 和總體柵極電荷 (1nC)，以提升DC-DC升壓設計的效率。FDFME3N311ZT 采用飛兆半導體專(zhuān)有的PowerTrench工藝技術(shù)，通過(guò)仔細優(yōu)化動(dòng)態(tài)性能來(lái)降低開(kāi)關(guān)損耗。其肖特基二極管的反向泄漏電流隨
- 關(guān)鍵字： Fairchild 開(kāi)關(guān) FDFME3N311ZT PowerTrench
Fairchild推出WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET
- 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設計采用飛兆半導體的專(zhuān)有PowerTrench® 工藝 技術(shù)，為手機、醫療、便攜和消費應用設計人員帶來(lái)業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導損耗。通過(guò)降低損耗，FDZ371PZ能夠提高便攜設計的效率，并延長(cháng)電池壽命。FDZ371PZ還可提供4.4kV的穩健ESD保護功能，以保護器件免受ESD事件
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET PowerTrench FDZ371PZ
Fairchild推出雙MOSFET解決方案FDMC8200
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員帶來(lái)業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側) 和同步 (低側) 30V N溝道MOSFET，二者均使用的專(zhuān)用先進(jìn)高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術(shù)，提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)，這些性能最大限度地
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET PowerTrench FDMC8200
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