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mosfet 文章 進(jìn)入 mosfet技術(shù)社區
Vishay Siliconix推出新款20V P溝道功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術(shù)的最新器件，使用了自矯正的工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝進(jìn)了1億個(gè)晶體管。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現了超精細、亞微米的間距工藝，將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET SiA433EDJ
理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數特性
- 通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí)，具有正的溫度系數導通電阻也增加，因此流過(guò)的電流減小，溫度降低，從而實(shí)現自動(dòng)的均流達到平衡。同樣對于一個(gè)功率MOSFET器件，在其內部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導通電阻具有正的溫度系數，因此并聯(lián)工作沒(méi)有問(wèn)題。但是，當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個(gè)晶胞單元等效電路模型，就會(huì )發(fā)現，上述的理論只有在MOSFET進(jìn)入穩態(tài)導通的狀態(tài)下才能成立，而在
- 關(guān)鍵字： MOSFET RDS ON 溫度系數
Vishay推出業(yè)界最小的芯片級MOSFET
- 日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級功率MOSFET。 在種類(lèi)繁多的便攜式設備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負載開(kāi)關(guān)、電池開(kāi)關(guān)和充電開(kāi)關(guān)應用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實(shí)現更多的功能。與市場(chǎng)上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET Si8461DB Si8465DB
安森美推出24款新的30伏、N溝道溝槽MOSFET
- 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝， 為計算機和游戲機應用中的同步降壓轉換器提供更高的開(kāi)關(guān)性能。 新系列的MOSFET利用安森美半導體獲市場(chǎng)驗證的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)異的導通阻抗[RDS(on)]及更高的開(kāi)關(guān)性能，用于個(gè)人計算機(PC)、服務(wù)器、游戲機、處理器穩壓電源
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET 溝槽 同步降壓轉換器
理解功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗
- 本文詳細分析計算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數起主導作用并更加深入理解MOSFET。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗
即將普及的碳化硅器件
- 隨綠色經(jīng)濟的興起，節能降耗已成潮流。在現代化生活中，人們已離不開(kāi)電能。為解決“地球變暖”問(wèn)題，電能消耗約占人類(lèi)總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。 據統計，60%至70%的電能是在低能耗系統中使用的，而其中絕大多數是消耗于電力變換和電力驅動(dòng)。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件，也稱(chēng)電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。 在這種情況下，性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
- 關(guān)鍵字： 豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
MOSFET市場(chǎng)快速發(fā)展，本土企業(yè)見(jiàn)起色
- 全球節能環(huán)保意識高漲使得高效、節能產(chǎn)品成為市場(chǎng)發(fā)展的主流趨勢。相應地，電源|穩壓器管理IC、MOSFET芯片等功率器件也被越來(lái)越多的應用到整機電子產(chǎn)品中。在功率器件產(chǎn)品中，MOSFET的市場(chǎng)需求增長(cháng)最快。據分析機構數據顯示，盡管受全球金融危機影響， 2008年，中國MOSFET市場(chǎng)需求量為198.2億個(gè)，仍比2007年增長(cháng)了11.9%。 在應用方面，目前消費電子已成為MOSFET最大的應用市場(chǎng)，這主要得益于MOSFET在便攜式產(chǎn)品、LCD TV等消費電子產(chǎn)品中的廣泛應用。其次，是計算機、工業(yè)控制
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET 穩壓器
IR推出適用于汽車(chē)柵極驅動(dòng)應用的器件AUIRS2016S
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出AUIRS2016S 器件，適用于汽車(chē)柵極驅動(dòng)應用，包括通用噴軌、柴油和汽油直噴應用，以及螺線(xiàn)管驅動(dòng)器。 AUIRS2016S是一款高電壓功率MOSFET高側驅動(dòng)器，具有內部電壓尖峰對地 (Vs-to-GND) 充電 NMOS。這款器件的輸出驅動(dòng)器配備一個(gè)250mA高脈沖電流緩沖級。相關(guān)溝道能夠在高側配置中驅動(dòng)一個(gè)N溝道功率MOSFET，可在高于地電壓達150V的條
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET 驅動(dòng)器 AUIRS2016S
飛兆推出RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務(wù)器、刀片式服務(wù)器和路由器的設計人員帶來(lái)業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負載開(kāi)關(guān)或ORing FET，為服務(wù)器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔負載功能。FET的連續導通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務(wù)器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET FDMS7650
FPGA助工業(yè)電機節能增效
- 在美國，工業(yè)應用領(lǐng)域AC電機所用的電能占全國的2/3以上。在許多應用中，AC電機或被關(guān)斷或以全速運作，而通過(guò)為電機添加變速控制功能，就能夠在標準開(kāi)啟/關(guān)斷控制下實(shí)現顯著(zhù)節能。用混合信號FPGA來(lái)實(shí)現高效率AC電機控制系統，可大幅降低電機的功耗。 電機無(wú)處不在 今天，電機用于各類(lèi)應用中，然而，很少有人意識到電機在使用中對環(huán)境帶來(lái)怎樣的影響。專(zhuān)家估計，在美國，電機所消耗的電能約占總發(fā)電量的50%。從全球范圍看，AC電機功耗占工業(yè)應用的70%，占商業(yè)應用電能的45%，占住宅應用電能的42%。
- 關(guān)鍵字： FPGA PWM MOSFET
IR推出基準工業(yè)級30V MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列獲得工業(yè)認證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動(dòng)工具、ORing應用和網(wǎng)絡(luò )通信及和服務(wù)器電源等應用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。 這些堅固耐用的MOSFET采用IR最新一代的溝道技術(shù)，并且通過(guò)非常低的導通電阻 (RDS(on)) 來(lái)減少散熱。此外，新器件的超低柵極電荷有助于延長(cháng)不間斷電源逆變器或電動(dòng)工具的電池壽命。 IR亞洲區銷(xiāo)售副總裁
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET UPS 溝道
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