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TI 推出面向高電流 DC/DC 應用的功率MOSFET
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標準尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺寸，同時(shí)還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進(jìn)散熱管理。 該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統設計人員使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時(shí)顯著(zhù)節省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于
- 關(guān)鍵字： TI MOSFET DualCool NexFET
Vishay推出12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內P溝道器件最低的導通電阻。 SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品，使用了自對準工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個(gè)晶體管單元。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現了超精細、亞微米的節距工藝，將業(yè)內
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET TrenchFET
英飛凌和飛兆半導體達成侵權訴訟和解協(xié)議
- 英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導體公司之間的專(zhuān)利侵權訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項專(zhuān)利。 通過(guò)廣泛的半導體技術(shù)專(zhuān)利交叉許可，雙方就上述訴訟達成和解。根據和解協(xié)議，飛兆半導體將向英飛凌支付許可費，但協(xié)議的具體條款和條件保密。 英飛凌和飛兆半導體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經(jīng)達成和解，并將申請撤訴。 作為半導體行業(yè)的全球領(lǐng)袖，英飛凌目前正
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET IGBT
IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
- 新型電力半導體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無(wú)論技術(shù)、設備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應當認識到，電力半導體器件和集成電路在國民經(jīng)濟發(fā)展中地位同樣重要，因此，政府應該對IGBT產(chǎn)業(yè)予以大力扶持。 眾所周知，電力電子技術(shù)可以提高用電效率，改善用電質(zhì)量，是節省能源的王牌技術(shù)。當今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導體器件是高頻電力電子線(xiàn)路和控制系統的核心開(kāi)關(guān)元器件，它的性能參數將直接決定著(zhù)電力電子系統的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導體器件的代表性器件，
- 關(guān)鍵字： 器件 IGBT 封裝 測試 MOSFET
安森美推出符合汽車(chē)標準的自保護低端MOSFET驅動(dòng)IC
- 安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出高度集成保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。這系列器件通過(guò)了AEC-Q101標準認證，非常適用于嚴格的汽車(chē)及工業(yè)工作環(huán)境中的開(kāi)關(guān)應用。 NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設計是為了提供強固及可靠的工作，這些器件全都有豐富的自保護特性，包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護，以及用于過(guò)壓保護(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。 安森美半導體汽車(chē)
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET 驅動(dòng)IC
利用低端柵極驅動(dòng)器IC進(jìn)行系統開(kāi)發(fā)
- 利用低端柵極驅動(dòng)器IC可以簡(jiǎn)化開(kāi)關(guān)電源轉換器的設計，但這些IC必須正確運用才能充分發(fā)揮其潛力，以最大限度地減小電源尺寸和提高效率。如何根據額定電流和功能來(lái)選擇適當的驅動(dòng)器，驅動(dòng)器周?chē)枰男┭a償元件，以及如何確定熱性能等是設計時(shí)要注意的方面。
- 關(guān)鍵字： Fairchild 轉換器 MOSFET 開(kāi)關(guān)電源 柵極驅動(dòng)器 200912
能效需求催生功率器件應用熱潮
- 市場(chǎng)需求逐步恢復 ● 能效需求催生功率器件應用熱潮 ● 擴內需政策為企業(yè)提供增長(cháng)空間 陳坤和 從2008年底到2009年初，所有電子產(chǎn)品的需求均有減少，功率半導體也不例外。我們認識到，困難時(shí)期可能成為重新把公司塑造成一個(gè)更精簡(jiǎn)、更專(zhuān)注、更贏(yíng)利企業(yè)的催化劑。由于各國政府的經(jīng)濟刺激措施紛紛把提升能效列為重點(diǎn)內容，許多企業(yè)開(kāi)始關(guān)注功率產(chǎn)品。在中國，由于政府刺激消費電子市場(chǎng)，中國市場(chǎng)需求增長(cháng)，推動(dòng)功率管理和其他半導體產(chǎn)品的需求開(kāi)始復蘇。從長(cháng)期來(lái)看，功率半導體將與許多其他領(lǐng)域的半導體產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： 功率器件 MOSFET
Diodes推出為VoIP應用優(yōu)化的全新MOSFET
- Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò )電話(huà) (VoIP) 通信設備的設計人員帶來(lái)一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的復雜性和成本。 ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過(guò)特別設計，能滿(mǎn)足各種VoIP應用中基于用戶(hù)線(xiàn)接口電路(SLIC)DC/DC轉換器對變壓器中初級開(kāi)關(guān)位置的嚴格要求。這些應用涵蓋寬帶語(yǔ)音系統、PBX系統、有線(xiàn)和DSL網(wǎng)關(guān)。 兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V，能夠承受SLIC環(huán)境下的高脈沖雪崩能量和通信模式，不需要額外的保護電
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET
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