Fairchild推出雙MOSFET解決方案FDMC8200
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員帶來(lái)業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側) 和同步 (低側) 30V N溝道MOSFET，二者均使用的專(zhuān)用先進(jìn)高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術(shù)，提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)，這些性能最大限度地減少傳導和開(kāi)關(guān)損耗，帶來(lái)更高效率。FDMC8200高側RDS(ON) 通常為24mOhm，低側則為9.5mOhm，可提供9A以上電流供主流計算應用，而經(jīng)優(yōu)化的引腳輸出和占位面積，為布局和路由帶來(lái)便利，并簡(jiǎn)化設計。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/96055.htm
FDMC8200通過(guò)先進(jìn)的封裝技術(shù)和專(zhuān)有PowerTrench 7工藝，節省空間并提升熱性能，解決DC-DC應用的主要設計難題。采用緊湊型高熱效3mm x 3mm Power33 MLP封裝和PowerTrench 7技術(shù)，其本身能夠提供高功率密度、高功率效率和出色的熱性能。
這款雙MOSFET器件是飛兆半導體廣泛的先進(jìn)MOSFET技術(shù)產(chǎn)品系列的一部分，全系列均擁有廣闊的擊穿電壓范圍和現代化的封裝技術(shù)，實(shí)現高效的功率管理和低熱阻的特點(diǎn)。同系列其它產(chǎn)品包括集成了FET模塊的FDMS9600S 和FDMS9620S器件，同樣能夠顯著(zhù)減少電路板空間，并提升同步降壓設計以達到更高的轉換效率。
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