EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
moscap
moscap 文章 進(jìn)入moscap技術(shù)社區
半導體C-V測量基礎
- 通用測試 電容-電壓(C-V)測試廣泛用于測量半導體參數，尤其是MOSCAP和MOSFET結構。此外，利用C-V測量還可以對其他類(lèi)型的半導體器件和工藝進(jìn)行特征分析，包括雙極結型晶體管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機TFT顯示器、光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導體器件。 這類(lèi)測量的基本特征非常適用于各種應用和培訓。大學(xué)的研究實(shí)驗室和半導體廠(chǎng)商利用這類(lèi)測量評測新材料、新工藝、新器件和新電路。C-V測量對于產(chǎn)品和良率增強工程師也是極其重要的，
- 關(guān)鍵字： 吉時(shí)利 C-V測試 半導體 MOSFET MOSCAP
| 共1條 1/1 1 |
moscap介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條moscap!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對moscap的理解，并與今后在此搜索moscap的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對moscap的理解，并與今后在此搜索moscap的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473