Aviza與瑟思將重點(diǎn)集中于A(yíng)LD膜層的晶圓背面和倒角處的去除解決方案

　　2005年7月11日訊—經(jīng)過(guò)量產(chǎn)驗證的熱處理系統以及原子膜層沉積（ALD）的全球供應商Aviza Technology公司, 和半導體業(yè)界中單晶圓濕式處理技術(shù)的市場(chǎng)領(lǐng)先者及首要的技術(shù)創(chuàng )新者SEZ（瑟思）集團于今日聯(lián)合宣布，將攜手應對新一代IC制造過(guò)程中面臨的關(guān)于去除ALD膜層的一系列重要挑戰。協(xié)議約定，兩個(gè)公司將利用雙方的專(zhuān)家技術(shù)，共同開(kāi)發(fā)應用于A(yíng)LD高級膜層的沉積和去除等解決方案，合作重點(diǎn)將是晶圓的背面和倒角。

　　SEZ全球新興技術(shù)部總監Leo Archer 博士評論說(shuō)：“隨著(zhù)半導體器件的日益復雜化，在IC制造工藝過(guò)程中，晶圓背面和倒角膜層的去除技術(shù)也變得越來(lái)越重要?！彼M(jìn)一步表示：“由于雙方都能夠很好地定位以解決90納米技術(shù)節點(diǎn)以下的膜層沉積和去除的復雜問(wèn)題，因此與Aviza Technology公司的合作將是一個(gè)雙贏(yíng)的創(chuàng )舉。通過(guò)開(kāi)發(fā)、定義以及細化ALD膜層去除的工藝制程，我們確信能夠為客戶(hù)提供他們所需要的解決方案，以應對先進(jìn)的半導體制造的挑戰?！?/P>

　　退火的條件往往能夠影響到晶圓背面和倒角膜層去除工藝過(guò)程的復雜程度。隨著(zhù)晶體化水平的不斷增加，經(jīng)過(guò)退火的膜層需要定制化的生產(chǎn)程式和化學(xué)品，以確保精確的去除，同時(shí)還要能夠保證膜層屬性的完整性，并降低交叉污染－進(jìn)而提高良率。由于合成物的復雜性，這種高級膜層的目標往往定位于45納米的高k值的門(mén)極絕緣體－諸如氧化鉿（HfO）、硅酸鋁（HfSiO）, 氮氧硅酸鉿（HfSiO/N）以及金屬類(lèi)的釕（Ru）－在膜層去除的階段，引發(fā)了更大的挑戰，即要有選擇地去除從晶圓背面和倒角處的這些材料導致的污染，同時(shí)對晶圓正面進(jìn)行有控制地保護，以防止交叉污染和微塵粒子的產(chǎn)生。這些可能會(huì )導致一些會(huì )影響器件性能、薄膜分層和光刻的問(wèn)題，最終會(huì )影響器件的良率。因為，當基層材料是硅、氧化硅、或者是氮化硅時(shí)，過(guò)多的除去在下面的基層材料未必有利，甚而可能造成不必要的傷害。過(guò)量的蝕刻可能會(huì )去除一層必要的擴散柵極，也可能會(huì )影響晶圓的表面平整度和均一度。因此，膜層去除的選擇比很重要。

　　顯而易見(jiàn)，SEZ的旋轉處理器技術(shù)有利于這類(lèi)工藝制程，原因是該技術(shù)允許將已長(cháng)有圖形（patterned）的晶圓正面朝下，在已獲得專(zhuān)利的柏努利（Bernoulli）卡盤(pán)上進(jìn)行處理。而且更為重要的是組合的卡盤(pán)、化學(xué)品配送系統以及反應倉使得晶圓正面到預先定義的距離上的高度控制的保護。

　　Aviza Technology 公司ALD產(chǎn)品管理總監Jon Owyang表示：“材料和工藝制程ALD應用的研發(fā)是加快ALD的發(fā)展路線(xiàn)和推動(dòng)ALD的被市場(chǎng)的采納的關(guān)鍵。Aviza正在持續地評估和開(kāi)發(fā)高級膜層以便及時(shí)完善新一代的制造工藝制程。通過(guò)與SEZ合作，我們意欲有效利用公司核心領(lǐng)域的專(zhuān)家技術(shù)為我們的客戶(hù)開(kāi)發(fā)出先進(jìn)的制造和工藝制程解決方案，以達到晶圓背面的對微量材料和晶圓背面的對微塵粒子程度的要求?！?/P>

　　Aviza 和SEZ 集團將于2005年7月12-14日在美國舊金山(San Francisco)的Moscone Convention Center 舉行的SEMICON West 2005展會(huì )上參展。如若需要了解關(guān)于這兩家公司和它們的產(chǎn)品的更多信息，屆時(shí)敬請光臨南廳＃1616的Aviza展臺和北廳＃5568的 SEZ集團展臺。