IR推出新型DirectFET MOSFET芯片組

使336W轉換器效率提升至97%
面積較四分之一磚小29％

　　世界功率管理技術(shù)領(lǐng)袖國際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR）近日推出一款新型的DirectFET MOSFET芯片組。新品可配合IR近期發(fā)布的IR2086S全橋總線(xiàn)轉換器集成電路，使直流總線(xiàn)轉換器達到最高效率。這款芯片組可以提供完善的總線(xiàn)轉換器解決方案，在比四分之一磚轉換器還要小29%的電路板面積上，實(shí)現效率高達97%的336W功率。

　　全新的IRF6646及IRF6635適用于隔離式DC-DC轉換器總線(xiàn)轉換器的固定48V及36V到60V輸入橋式電路拓撲、同步降壓非隔離式DC-DC電路拓撲、針對移動(dòng)通信的18V到36V輸入正激及推挽式轉換器，以及調節式輸出隔離式DC-DC應用中的次級同步整流。

　　業(yè)界標準的300W四分之一磚設計往往包含多達10個(gè)MOSFET（4個(gè)初級和6個(gè)次級）、1個(gè)脈寬調制（PWM）集成電路及2個(gè)半橋驅動(dòng)器集成電路。IR的新芯片組方案則只有6個(gè)MOSFET（4個(gè)初級和2個(gè)次級）及1個(gè)單獨的集成電路，節省功率半導體零件數達46%。

　　此外，以這種芯片組制成的隔離式總線(xiàn)轉換器DC-DC能有效節省多達29%的占板空間，更可提升工作效率1.5個(gè)百分點(diǎn)。

　　IRF6646 80V MOSFET的最大導通電阻為9.5mΩ ，較相同面積的同類(lèi)器件改善了37%，成為業(yè)界之最，并可針對初級橋式電路拓撲進(jìn)行定制。IRF6635 30V MOSFET的最大導通電阻為1.8mΩ ，是特別為次級同步整流優(yōu)化的。該器件可在相同面積下實(shí)現最低的導通電阻，超過(guò)同類(lèi)器件22%。

　　這組MOSFET可與最新面世的IR2086S全橋直流總線(xiàn)轉換器集成電路和現有的IRF6608 30V DirectFET MOSFET結合起來(lái)用作次級柵鉗位。

　　IR中國及香港銷(xiāo)售總監嚴國富指出，最新的IRF6646和IRF6635可實(shí)現更高的效率，工作時(shí)的外殼溫度比SO-8器件約低40