三星自夸芯片制造工藝速度超越摩爾定律

    今年是摩爾定律問(wèn)世40周年，就在英特爾請出久未露面的Gordon Moore、忙于舉辦慶?；顒?dòng)時(shí)，三星電子半導體部門(mén)總裁黃昌圭忙借機自夸，稱(chēng)三星在芯片制造工藝的改進(jìn)速度上已經(jīng)超越摩爾定律。 

    摩爾定律最初于1965年發(fā)布時(shí)，曾預言芯片中晶體管數量每年就會(huì )增加1倍，1975年時(shí)修正為芯片內晶體管數量每2年倍增。 

    對此，黃昌圭表示，三星在NAND型閃存（Flash）制造工藝的推進(jìn)速度是每年倍增其容量。事實(shí)上，從三星陸續推出1Gb、2Gb、4Gb NAND型閃存的速度上來(lái)看，它的芯片制造工藝改進(jìn)速度已經(jīng)超越了摩爾定律預言的速度。 

    4Gb NAND型閃存是三星剛剛發(fā)布的新品，明年它打算將NAND型閃存的容量推上8Gb。 

    黃昌圭對三星電子芯片制造工藝的改進(jìn)充滿(mǎn)信息，他認為在不考慮供給、需求的前提下，三星的工藝可讓NAND型閃存平均價(jià)格每年下滑40%。 

    據了解，目前三星已是全球NAND型閃存市場(chǎng)的龍頭，其市場(chǎng)占有率逼近60%，它對市場(chǎng)價(jià)格的操縱能力不言可喻。三星領(lǐng)先全球、首次以Fab 14的12英寸晶圓投產(chǎn)NAND型閃存，初期以0.07微米工藝量產(chǎn)，隨后將導入0.06微米工藝，這讓三星的利潤空間足以應付產(chǎn)能過(guò)剩時(shí)可能出現的價(jià)格崩盤(pán)，就算這種情況出現，三星依然是大贏(yíng)家。 

    此外，三星曾在2004年11月通過(guò)美國媒體放出有意切入晶圓代工領(lǐng)域的消息，隨后還曾在12月份三星半導體部門(mén)30周年慶上宣稱(chēng)未來(lái)6年將斥資240億美元，把內存業(yè)務(wù)與LSI業(yè)務(wù)結合起來(lái)進(jìn)行推進(jìn)，爭取讓每年營(yíng)收增長(cháng)達到2位數。目前，除內存業(yè)務(wù)外，三星已經(jīng)很少提及其他半導體業(yè)務(wù)的發(fā)展，三星到底會(huì )不會(huì )進(jìn)入晶圓代工領(lǐng)域，目前仍是個(gè)謎。