新技術(shù)揭密載流子在半導體晶體中的運動(dòng)

　　芯片做的越小，理解內部原子結構就越重要。最近物理學(xué)家描述了一種納米成像技術(shù)，該技術(shù)能夠直接揭示載流子怎樣在半導體晶體中運動(dòng)。雖然所得到的第一個(gè)結論與標準理論一致，但是這種方法仍然可以證明在微型芯片中有用。

　　在n型半導體中，加入了摻雜物，增加了可以自由電子。在p型半導體中，加入了不同的摻雜物，促使許多電子從晶體結構中溢出，留下正電荷的“洞穴”可以形成電流。當n型半導體和p型半導體彼此接觸，邊界的電子和空穴彼此擴散到相反的材料中，相互抵制并形成了絕緣的“耗損層”。如果在p-n結上加電壓，就會(huì )有電流。這就是二極管—晶體管和其它組合晶體管的基本組成元素。

　　標準理論描述了電子和空穴怎樣在p-n結中擴散，依靠的是電壓，重要的是回路的電流而不是觀(guān)察電子本身。日本大學(xué)的HidemiShigekawa和他的同事們利用掃描隧道電子顯微鏡和激光照明燈描繪了載流子的性質(zhì)，以前都是將光和掃描隧道電子顯微鏡聯(lián)系起來(lái)探測半導體的性質(zhì)，但是卻沒(méi)有得到載流子密度的一張照片，并且沒(méi)有人看到電子流過(guò)的半導體。