臺積電、新思科技將英偉達計算光刻平臺投入生產(chǎn)
當地時(shí)間3月18日,英偉達(NVIDIA)宣布臺積電(TSMC)、新思科技(Synopsys)已將其計算光刻平臺投入生產(chǎn),以加速下一代先進(jìn)半導體芯片的制造,突破物理極限。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202403/456559.htm據悉,臺積電與新思科技已將英偉達cuLitho技術(shù)與其軟件、制造工業(yè)和系統集成,希望加快芯片制造速度,并幫助制造最新一代英偉達Blackwell架構GPU。
英偉達創(chuàng )始人兼首席執行官黃仁勛表示,此次圍繞 cuLitho 展開(kāi)合作,通過(guò)加速計算和生成式AI為半導體微縮開(kāi)辟了新的方向。此外,英偉達還宣布推出可增強GPU加速計算光刻軟件庫 cuLitho 的全新生成式AI算法。與當前基于CPU的方法相比,大幅改進(jìn)了半導體制造工藝。
據英偉達介紹稱(chēng),計算光刻是半導體制造過(guò)程中計算最密集的工作負載,每年消耗數百億小時(shí)CPU運行時(shí)間。通過(guò)英偉達加速計算技術(shù),350套H100組成的系統現在已經(jīng)可取代40000顆CPU構成的計算集群,這樣可以加快生產(chǎn)時(shí)間,同時(shí)降低成本、空間和功耗。
據了解,在 cuLitho 加快流程速度的基礎上,這一全新生成式AI工作流程將速度又提升了2倍。以這種方式應用生成式AI可以創(chuàng )建出近乎完美的反向光掩?;蚍聪蚪鉀Q方案來(lái)解決光衍射問(wèn)題,然后再通過(guò)傳統的嚴格物理方法制造最終的光掩模,從而將整個(gè)光學(xué)鄰近效應校正(OPC)流程加快兩倍。
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