三大晶圓代工巨頭先進(jìn)制程新進(jìn)展

近期，英特爾執行長(cháng)基辛格表示，英特爾可如期達成4年推進(jìn)5世代制程技術(shù)的目標。Intel 7制程技術(shù)已大量生產(chǎn)，Intel 4制程也已經(jīng)量產(chǎn)，Intel 3制程準備開(kāi)始量產(chǎn)，Intel 20A制程將如期于2024年量產(chǎn)，Intel 18A制程將是5世代制程目標的終極制程，已確定相關(guān)設計規則。

在A(yíng)I、高性能計算等新興技術(shù)驅動(dòng)下，晶圓代工產(chǎn)業(yè)先進(jìn)制程重要性日益凸顯，吸引臺積電、三星、英特爾積極布局。

臺積電方面，該公司N3X、2nm工藝計劃2025年進(jìn)入量產(chǎn)階段。臺積電介紹，公司將在2nm制程節點(diǎn)首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管，相較于N3E ，該工藝在相同功耗下，速度最快將可增加至15% ；在相同速度下，功耗最多可降低30% ，同時(shí)芯片密度增加大于15% 。

三星方面，該公司已量產(chǎn)第二代3nm芯片，并計劃2025年底前推出2nm制程、2027年底前推出1.4nm制程。今年10月媒體報道三星電子旗下晶圓代工事業(yè)Samsung Foundry 透露，已開(kāi)始跟大型芯片客戶(hù)接洽，準備提供1.4nm及2nm制程的服務(wù)。晶圓代工客戶(hù)大約需要3年才能做出最終購買(mǎi)決定。三星正在跟大客戶(hù)接洽，可能在未來(lái)幾年展現成果。

Samsung Foundry科技長(cháng)Jeong Ki-tae表示，GAA制程是一種可以延續到未來(lái)的技術(shù)，鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）制程則無(wú)法更加精進(jìn)，公司已在跟大客戶(hù)討論2nm、1.4nm等未來(lái)制程。