佳能推出納米壓印半導體制造設備，執行電路圖案轉移

（FPA-1200NZ2C  圖源:Canon)

據悉，除了現有的光刻系統外，佳能還將采用納米壓印(NIL)技術(shù)的半導體制造設備推向市場(chǎng)，擴大其半導體制造設備陣容，以滿(mǎn)足從最先進(jìn)的半導體設備到現有設備的廣泛需求。

佳能官方介紹稱(chēng)，其N(xiāo)IL技術(shù)可實(shí)現最小線(xiàn)寬14nm的圖形化，相當于生產(chǎn)目前最先進(jìn)的邏輯半導體所需的5nm節點(diǎn)。隨著(zhù)掩模技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，納米壓印光刻有望實(shí)現最小線(xiàn)寬為10nm的電路圖案，相當于2nm節點(diǎn)。此外，新產(chǎn)品采用新開(kāi)發(fā)的環(huán)境控制技術(shù)，可抑制設備內細顆粒污染，使精細復雜電路的形成成為可能，有助于制造尖端半導體器件。