ASML：現有技術(shù)能實(shí)現1nm工藝

　　5月17日消息，為了強調光在推進(jìn)科學(xué)進(jìn)步過(guò)程中的重要作用，聯(lián)合國教科文組織將每年的5月16日定為“國際光日”。5月13日，ASML在一篇公眾號文章中稱(chēng)，現有技術(shù)能實(shí)現1nm工藝，摩爾定律可繼續生效十年甚至更長(cháng)時(shí)間。

　　ASML稱(chēng)，在半導體領(lǐng)域，摩爾定律——這一誕生于1965年的前瞻推斷，就扮演著(zhù)如同光一樣的角色，指引芯片制造的每一次創(chuàng )新與突破。在過(guò)去的50多年里，摩爾定律不斷演進(jìn)。摩爾關(guān)于以最小成本制造復雜芯片的最初預測，也在演進(jìn)過(guò)程中被轉述成各種各樣的表述，現在這個(gè)定律最常被表述為半導體芯片可容納的晶體管數量呈倍數增長(cháng)。1975年，摩爾修正了自己的預測：晶體管數量翻倍的時(shí)間從最初的一年上升到兩年。

　　摩爾認為，增加芯片面積、縮小元件尺寸以及優(yōu)化器件電路設計是實(shí)現晶體管數量翻倍的三個(gè)重要因素。

　　ASML稱(chēng)，在過(guò)去的15年里，很多創(chuàng )新方法使摩爾定律依然生效且狀況良好。從整個(gè)行業(yè)的發(fā)展路線(xiàn)來(lái)看，它們將在未來(lái)十年甚至更長(cháng)時(shí)間內讓摩爾定律繼續保持這種勢頭。在元件方面，目前的技術(shù)創(chuàng )新足夠將芯片的制程推進(jìn)至至少1納米節點(diǎn)，其中包括gate-all-around FETs，nanosheet FETs，forksheet FETs，以及complementary FETs等諸多前瞻技術(shù)。此外，光刻系統分辨率的改進(jìn)（預計每6年左右縮小2倍）和邊緣放置誤差（EPE）對精度的衡量也將進(jìn)一步推動(dòng)芯片尺寸縮小的實(shí)現。

　　ASML稱(chēng)，只要我們還有想法，摩爾定律就會(huì )繼續生效。