TrendForce：俄烏沖突影響半導體氣體供應 芯片成本恐上漲

TrendForce指出，俄烏沖突雖可能沖擊該烏克蘭地區惰性氣體供應，但在半導體廠(chǎng)、氣體供應廠(chǎng)皆備有庫存，且仍有其它地區供應的情況下，短期內不至于造成產(chǎn)線(xiàn)中斷影響產(chǎn)出，不過(guò)氣體供應量減少仍將可能造成價(jià)格上漲，芯片生產(chǎn)成本可能因此上漲。

烏克蘭為半導體原料氣體供應大國，包含氖、氬、氪、氙等，其中氖氣由烏克蘭供應全球近七成產(chǎn)量，盡管氖氣在半導體制程當中使用比重并不如其他產(chǎn)業(yè)，但其仍為必要原物料，若供應受阻仍將對產(chǎn)業(yè)造成影響。

惰性氣體主要應用于半導體微影制程，該制程線(xiàn)寬需進(jìn)一步微縮至220nm以下時(shí)，即開(kāi)始進(jìn)入DUV（深紫外光）光源準分子雷射世代，以惰性混合氣體與鹵素分子混合，藉由電子束能量激發(fā)產(chǎn)生深紫外光的波長(cháng)，將制程推進(jìn)180nm以下線(xiàn)寬。

DUV準分子雷射當中所需要的惰性混合氣體就包含氖氣，且氖氣為混合氣體當中的必要氣體，難以取代。而半導體微影制程當中需要氖氣的制程主要為DUV曝光，制程節點(diǎn)涵蓋自8吋晶圓180nm至12吋晶圓1Xnm。

TrendForce研究顯示，晶圓代工方面，全球180~1Xnm產(chǎn)能占整體約75%，除有提供EUV先進(jìn)制程的臺積電（TSMC）及三星（Samsung）外，多數晶圓廠(chǎng)180~1Xnm營(yíng)收占比超過(guò)九成，且自2020年起供貨極為緊張的零組件包含PMIC、Wi-Fi、RFIC、MCU等制造制程皆落在此區間。DRAM方面，除了美光（Micron）外，韓廠(chǎng)正逐步加大1alpha nm（使用EUV制程）占比，但目前仍有超過(guò)九成的產(chǎn)能采用DUV制程；而NAND Flash則全數采用DUV微影技術(shù)。