2025年存儲產(chǎn)業(yè)進(jìn)入上升循環(huán)？

存儲器市場(chǎng)價(jià)格上漲、供需平衡不斷改善之下，原廠(chǎng)業(yè)績(jì)持續攀升，普遍實(shí)現扭虧為盈。同時(shí)，存儲模組廠(chǎng)商業(yè)績(jì)也實(shí)現快速增長(cháng)。AI強勁助力之下，存儲廠(chǎng)商樂(lè )觀(guān)看待未來(lái)市況，有廠(chǎng)商甚至直言：2025年存儲產(chǎn)業(yè)將是顯著(zhù)上升循環(huán)年。

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原廠(chǎng)、模組廠(chǎng)業(yè)績(jì)亮眼

近期，美光與華邦電兩家原廠(chǎng)相繼公布最新財務(wù)數據。

美光財報（2024年3-5月）顯示，該季公司營(yíng)收68.11億美元，同比增長(cháng)81.5%；Non-GAAP下，美光經(jīng)營(yíng)利潤9.41億美元；凈利潤7.02億美元，環(huán)比增長(cháng)47%。其中，美光DRAM收入約47億美元，環(huán)比增長(cháng)13%；NAND業(yè)務(wù)收入約21億美元，環(huán)比增長(cháng)32%。DRAM與NAND ASP環(huán)比增長(cháng)均超過(guò)20%。美光表示，該季公司營(yíng)收、毛利率和每股收益均高于指導范圍上限。展望下一季度，美光預計公司營(yíng)收將可達到74億—78億美元之間。

圖片來(lái)源：美光

華邦電公布自行結算的2024年6月?tīng)I收報告顯示，6月合并營(yíng)收為新臺幣73.78億元，同比增長(cháng)5.56%；累計1~6月合并營(yíng)收為416.05億元新臺幣，同比增加14.53%。

存儲模組廠(chǎng)商方面，威剛、群聯(lián)、十銓等廠(chǎng)商6月及上半年營(yíng)收全面實(shí)現年增。其中，威剛6月?tīng)I收達29.54億元新臺幣，同比增長(cháng)超29.38%，今年上半年合并營(yíng)收209.1億元新臺幣，同比增長(cháng)48.56%。十銓6月?tīng)I收27.96億元新臺幣，年增44.93%；群聯(lián)6月?tīng)I收53.61億元新臺幣，年增55.93%，雙雙創(chuàng )下單月?tīng)I收歷史新高數字。

此外，佰維存儲與德明利兩家公司近期披露公告，預計今年上半年凈利潤將同比大幅增長(cháng)。其中，佰維存儲預計2024年1-6月扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤盈利為27,500萬(wàn)元至32,500萬(wàn)元人民幣，同比上年增長(cháng)191.12%至207.69%。德明利預計2024年1-6月?tīng)I業(yè)收入為200,000萬(wàn)元至230,000萬(wàn)元人民幣，同比上年增長(cháng)238.68%至289.48%。

02
存儲廠(chǎng)商：2025年是顯著(zhù)上升循環(huán)年

展望后續存儲市況發(fā)展，無(wú)論是原廠(chǎng)還是模組廠(chǎng)，皆樂(lè )觀(guān)看待。

美光作為三大DRAM原廠(chǎng)之一，近年受益于A(yíng)I浪潮，HBM業(yè)務(wù)發(fā)展迅速。因此，美光堅定看好AI與HBM發(fā)展。美光預計2024財年公司將從HBM中獲得數億美元收入，而到2025財年這一數字將達到數十億美元。同時(shí)，美光再次強調，HBM供不應求，2024至25年HBM內存芯片已經(jīng)售罄。

華邦電董事長(cháng)焦佑鈞表示，華邦電從2022年第2季開(kāi)始感受到存儲器銷(xiāo)量下滑，經(jīng)過(guò)八個(gè)季度后，今年第2季陸續感受到銷(xiāo)量上升，預期是數量先行，價(jià)格后面就會(huì )跟上，正向看待未來(lái)兩年存儲器產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入上升循環(huán)，2025年更是顯著(zhù)上升循環(huán)年，明年市況可用“顯著(zhù)樂(lè )觀(guān)”來(lái)形容。

威剛董事長(cháng)陳立白強調，目前上游原廠(chǎng)對價(jià)格態(tài)度仍相當正向積極，產(chǎn)能配置以毛利率最高的HBM優(yōu)先配置，其次是一般用途的DDR5與DDR4，資本支出也以獲利為導向，因此短期現貨價(jià)干擾并不影響第三季的DRAM與NAND Flash合約價(jià)持續穩定向上。同時(shí)，近期部分DRAM現貨價(jià)已開(kāi)始止跌回升，看好在短期現貨市場(chǎng)整理后，公司出貨動(dòng)能也將隨著(zhù)下半年傳統旺季，回歸繼續成長(cháng)的軌道。

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Q3存儲器合約價(jià)預測：NAND Flash價(jià)格收斂

值得注意的是，盡管存儲廠(chǎng)商普遍看好未來(lái)市況，AI浪潮也確實(shí)助力了服務(wù)器、HBM、Enterprise SSD等產(chǎn)品需求提升，但下游終端應用市場(chǎng)尚未全面復蘇，同時(shí)原廠(chǎng)積極投產(chǎn)可能引起未來(lái)供需平衡變化，上述因素推動(dòng)下，未來(lái)存儲市場(chǎng)部分產(chǎn)品合約價(jià)存在收斂的可能性。

全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查顯示，由于通用型服務(wù)器(general server)需求復蘇，加上DRAM供應商HBM生產(chǎn)比重進(jìn)一步拉高，使供應商將延續漲價(jià)態(tài)度，第三季DRAM均價(jià)將持續上揚。DRAM價(jià)格漲幅達8~13%，其中Conventional DRAM漲幅為5-10%，較第二季漲幅略有收縮。

NAND Flash方面，集邦咨詢(xún)表示，第三季除了企業(yè)端持續投資服務(wù)器建設，尤其Enterprise SSD受惠AI擴大采用，繼續受到訂單推動(dòng)，消費性電子需求持續不振，加上原廠(chǎng)下半年增產(chǎn)幅度趨于積極，第三季NAND Flash 供過(guò)于求比例(Sufficiency Ratio)上升至2.3%，NAND Flash均價(jià)(Blended Price)漲幅收斂至季增5-10%。

綜觀(guān)NAND Flash今年價(jià)格走勢，由于原廠(chǎng)上半年控制增產(chǎn)，NAND Flash價(jià)格加速反彈幫助原廠(chǎng)重回獲利。但隨著(zhù)各家廠(chǎng)商下半年開(kāi)始明顯擴大投產(chǎn)，零售市場(chǎng)買(mǎi)氣仍未復蘇，wafer現貨價(jià)走跌，跌幅擴大導致部分wafer價(jià)格已低于合約價(jià)超過(guò)二成，wafer合約價(jià)格未來(lái)上漲空間面臨挑戰。