三星高調宣布2025年投入2nm量產(chǎn)

韓國三星在舉行晶圓代工論壇期間高調宣布，2025年投入2奈米量產(chǎn)，再度確認將導入新一代環(huán)繞閘極技術(shù)(GAA)電晶體架構，搶在臺積電前宣布2025年投入2奈米制程的芯片量產(chǎn)，劍指臺積電的意圖明顯，晶圓代工全球版圖恐將迎來(lái)新變局。

此次論壇以Adding One More Dimension為主題，會(huì )中提到三星過(guò)去曾在2020上半年宣布該公司要在GAA的基礎上導入3奈米制程，而此次更提到要基于GAA基礎，在2023年時(shí)要導入第二代的3奈米制程，并于2025年導入2奈米制程。而這回也是三星首度表明2奈米的制程規劃。

要知道，GAA制程技術(shù)能讓芯片中的電晶體更小、更快，也更省電。而截至目前為止，臺積電所使用的FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)，仍然是當前最新的電晶體技術(shù)。以三星為例，該公司于2012年時(shí)，在14奈米制程導入該項技術(shù)。

但FinFET在到達7奈米、5奈米、4奈米等細微制程門(mén)檻時(shí)，就接連遇上瓶頸，該構造在4奈米以下的制程當中，已無(wú)法再降低作業(yè)電壓，而解決辦法就是GAA技術(shù)。

三星在GAA技術(shù)研發(fā)上，進(jìn)一步發(fā)展出獨自的MBC FET(Multi Bridge Channel Field Effect Transistor) 技術(shù)。該公司表示，采用MBC FET構造的3奈米制程，比起以往FinFET技術(shù)的5奈米制程，在性能上提升30%、電力消耗減少50%、面積縮小35%。

不但是如此，三星也在此次論壇上公布17奈米的FinFET新制程。按照三星相關(guān)人士的說(shuō)法，新制程和過(guò)去相比，在性能上提升39%、電力效率提升49%、面積縮小43%。

臺積電與三星長(cháng)年來(lái)，在芯片制程的競爭至今都尚未結束。Business Korea日前指出，臺積電在專(zhuān)利數申請上再次超越三星，而臺積電總裁魏哲家也暗示，公司3奈米量產(chǎn)首年較5奈米將有更多新品設計定案，也會(huì )配合客戶(hù)在明年下半年量產(chǎn)。

臺積電此前消息稱(chēng)，公司將在2奈米制程時(shí)，才會(huì )選擇引進(jìn)GAA技術(shù)，3奈米制程將維持FinFET架構，將重點(diǎn)放在2奈米以外節點(diǎn)，以及3D電晶體、新記憶體以及Low-R Interconnect等領(lǐng)域，為各項技術(shù)平臺創(chuàng )造發(fā)展基礎，并且加強FAB 12的研發(fā)N3、N2甚至更高級的先進(jìn)制程節點(diǎn)。

美國商務(wù)部日前傳出消息，要求臺積電、三星、SK海力士與英特爾等芯片制造商，在11月8日提供客戶(hù)名單、庫存以及未來(lái)生產(chǎn)計劃等商業(yè)機密。臺積電對此回應，若有需要協(xié)助的地方，會(huì )向臺灣當局反應，并且證實(shí)臺當局持續給予關(guān)注。韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部部長(cháng)呂翰九指出，他深知南韓業(yè)者的擔憂(yōu)情緒，將向美方持續會(huì )談，反應韓方看法，盡可能降低傷害。

而根據韓國媒體Business Korea所指，韓國企業(yè)擔憂(yōu)美國此舉恐怕將造成合約取消、產(chǎn)品價(jià)格波動(dòng)，以及美國政府將揭露他們的機密資料。報道透露，美國政府要求的訊息包括制造的芯片種類(lèi)、各產(chǎn)品每月銷(xiāo)售額、客戶(hù)名冊、庫存數據以及供貨不足的對策。三星電子與SK海力士不愿透露與客戶(hù)與合約有關(guān)的資料，因為這些機密顯示他們及其客戶(hù)的商業(yè)策略，可能導致合約取消。再者，庫存與產(chǎn)能數據的披露可能?chē)乐貨_擊價(jià)格談判與市場(chǎng)價(jià)格。

盡管美國政府承諾不會(huì )公開(kāi)資料，但相關(guān)公司透露，這些資料根本無(wú)法提供分享，就一名韓國當地業(yè)者說(shuō)：“歸根結底，美國政府企圖透過(guò)施壓非美國半導體公司，協(xié)助本國企業(yè)成長(cháng)”。他也呼吁，個(gè)別企業(yè)無(wú)法違抗美國政府，南韓政府必須與業(yè)者共同努力，以盡可能降低損害。

呂翰九則向市場(chǎng)發(fā)表聲明：“韓國與美國政府正增加供應鏈議題的對話(huà)?！边@也就意味著(zhù)，韓國政府可以協(xié)助業(yè)者應對該議題。