比官方宣傳還猛！臺積電5nm晶體管密度比7nm提高88％

一般來(lái)說(shuō),官方宣傳數據都是最理想的狀態(tài),有時(shí)候還會(huì )摻雜一些水分,但是你見(jiàn)過(guò)實(shí)測比官方數字更漂亮的嗎?

臺積電已在本月開(kāi)始5nm工藝的試產(chǎn),第二季度內投入規模量產(chǎn),蘋(píng)果A14、華為麒麟1020、AMD Zen 4等處理器都會(huì )使用它,而且消息稱(chēng)初期產(chǎn)能已經(jīng)被客戶(hù)完全包圓,尤其是蘋(píng)果占了最大頭。

臺積電尚未公布5nm工藝的具體指標,只知道會(huì )大規模集成EUV極紫外光刻技術(shù),不過(guò)在一篇論文中披露了一張晶體管結構側視圖。

WikiChips經(jīng)過(guò)分析后估計,臺積電5nm的柵極間距為48nm,金屬間距則是30nm,鰭片間距25-26nm,單元高度約為180nm,照此計算,臺積電5nm的晶體管密度將是每平方毫米1.713億個(gè)。

相比于初代7nm的每平方毫米9120萬(wàn)個(gè),這一數字增加了足足88%,而臺積電官方宣傳的數字是84%。

雖然這些年摩爾定律漸漸失效,雖然臺積電的工藝經(jīng)常面臨質(zhì)疑,但不得不佩服臺積電的推進(jìn)速度,要知道16nm工藝量產(chǎn)也只是不到5年前的事情,那時(shí)候的晶體管密度才不過(guò)每平方毫米2888萬(wàn)個(gè),5nm已經(jīng)是它的幾乎六倍!

另外,臺積電10nm工藝的晶體管密度為每平方毫米5251萬(wàn)個(gè),5nm是它的近3.3倍。