EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
晶體管
晶體管 文章 進(jìn)入晶體管技術(shù)社區
晶體管施密特觸發(fā)器工作原理，圖文+實(shí)際案例
- 今天給大家分享的是：晶體管施密特觸發(fā)器工作原理。施密特觸發(fā)器是一種邏輯輸入類(lèi)型，可為上升沿和下降沿提供遲滯或兩個(gè)不同的閾值電壓電平。當我們想要從有噪聲的輸入信號中獲取方波信號時(shí)，使用晶體管施密特觸發(fā)器，可以避免錯誤。晶體管施密特觸發(fā)器電路包含 2 個(gè)晶體管和 5 個(gè)電阻，為了更好的地解釋原理，下面直接分析電路。晶體管施密特觸發(fā)器工作原理假設 Uin 輸入為0V，意味著(zhù)晶體管 T1 截止且不導通。另一方面，晶體管 T2 導通，因為 B 節點(diǎn)處的電壓約為 1.98V，我們可以將電路的這一部分視為分壓
- 關(guān)鍵字： 晶體管 施密特觸發(fā)器 電路設計
還不會(huì )設計晶體管施密特觸發(fā)器？不要錯過(guò)
- 今天給大家分享的是晶體管施密特觸發(fā)電路設計。主要是關(guān)于：1、晶體管搭建的施密特觸發(fā)器2、如何設計晶體管施密特觸發(fā)電路？3、怎么改進(jìn)晶體管施密特觸發(fā)電路一、施密特觸發(fā)器有什么作用？施密特觸發(fā)器是一個(gè)決策電路，用于將緩慢變化的模擬信號電壓轉換為2 種可能的二進(jìn)制狀態(tài)之一，具體取決于模擬電壓是高于還是低于預設閾值。二、不能用 CMOS 來(lái)設計施密特觸發(fā)器嗎？CMOS器件CMOS 器件可以用來(lái)設計施密特觸發(fā)器，但是不能選擇閾值電壓，只能在有限的電源電壓范圍內工作，例如：4HC14 在 +5v 下運行，閾值通常為
- 關(guān)鍵字： 晶體管 施密特觸發(fā)器 電路設計
使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管
- 為特定CMOS工藝節點(diǎn)設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫(xiě)了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為，那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過(guò)程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進(jìn)
- 關(guān)鍵字： CMOS，MOSFET 晶體管，Spice模型
幾年的原理圖沒(méi)白干，總結了這么多晶體管的應用知識~
- 晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實(shí)是相當容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見(jiàn)的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān)，它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān)，晶體管類(lèi)似于繼電器，因為你可以用它來(lái)打開(kāi)或關(guān)閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開(kāi)，這對于放大器的設計很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
- 關(guān)鍵字： 晶體管 電路設計
一文讀懂｜晶體管是怎么來(lái)的
- 現在，3nm制程工藝的CPU已經(jīng)在大面積使用了。那么，你知道芯片里面這個(gè)3nm晶體管是怎么來(lái)的嗎？它到底有什么神奇功能？1. 1948年、在貝爾電話(huà)研究所誕生1948年，晶體管的發(fā)明給當時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計算機為首，電子技術(shù)取得急速發(fā)展。正因為它如此地豐富了人們的生活，就其貢獻度而言，作為發(fā)明者的3位物理學(xué)家 —— 肖克萊博士、巴丁博士和布拉頓博士，當之無(wú)愧地獲得了諾貝爾獎?？峙陆窈蟮陌l(fā)明都難以與晶體管的發(fā)明相提并論?？傊?，晶體管為現代
- 關(guān)鍵字： 晶體管
研究人員開(kāi)發(fā)出新型 2D 晶體管，可模仿蝗蟲(chóng)大腦實(shí)現避障
- IT之家 4 月 23 日消息，印度理工學(xué)院孟買(mǎi)分校和倫敦國王學(xué)院的研究人員合作開(kāi)發(fā)了一種超低功耗的二維晶體管，能夠模擬蝗蟲(chóng)的神經(jīng)元來(lái)實(shí)現避障功能，有望降低未來(lái)人工智能的能源消耗。圖源 Pexels自動(dòng)駕駛和機器人自主移動(dòng)一直是機器學(xué)習和人工智能研發(fā)人員夢(mèng)寐以求的目標，而避障則是這項技術(shù)能否在現實(shí)世界落地應用的關(guān)鍵。為此，雙方研究人員致力于創(chuàng )造一種能以極低功耗實(shí)現避障的解決方案。研究人員在研究避障行為時(shí)，發(fā)現蝗蟲(chóng)身上有一種名為“小葉巨人運動(dòng)檢測器 (LGMD)”的神經(jīng)元，當大型物體接近蝗蟲(chóng)時(shí)，該
- 關(guān)鍵字： 晶體管 人工智能
通俗易懂的講解晶體管(BJT 和 MOSFET)
- 晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實(shí)是相當容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見(jiàn)的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān)，它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān)，晶體管類(lèi)似于繼電器，因為你可以用它來(lái)打開(kāi)或關(guān)閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開(kāi)，這對于放大器的設計很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
- 關(guān)鍵字： 晶體管 BJT MOSFET
基礎知識之晶體管
- 一、晶體管的功能晶體管具有放大和開(kāi)關(guān)電信號的功能。 比如在收音機中，會(huì )擴大（放大）空中傳輸過(guò)來(lái)的非常微弱的信號，并通過(guò)揚聲器播放出來(lái)。這就是晶體管的放大作用。 另外，晶體管還能僅在事先確定的信號到達時(shí)才工作，這時(shí)發(fā)揮的是開(kāi)關(guān)作用。 我們常聽(tīng)到的“IC”也好“LSI”也好，都是晶體管的集合體，是晶體管構成了其功能的基礎?！揪w管的基本功能示意圖】作為開(kāi)關(guān)使用的晶體管下面通過(guò)發(fā)射極接地時(shí)的開(kāi)關(guān)工作來(lái)介紹起到開(kāi)關(guān)作用的晶體管。當晶體管的基極引腳被施加電壓（約0.7V以上）并流過(guò)微小電流時(shí)，晶體管會(huì )導通，電流會(huì )在
- 關(guān)鍵字： 晶體管
模擬集成電路設計中的MOSFET非理想性
- MOS晶體管表現出理想模型所沒(méi)有的各種二階效應。為了設計在現實(shí)世界中工作的模擬集成電路，我們需要了解這些非理想因素。在上一篇文章中，我們介紹了基本的MOSFET結構和工作區域。我們討論的模型描繪了一個(gè)理想的MOSFET，并且由于其較長(cháng)的溝道尺寸，對于早期的MOSFET來(lái)說(shuō)是相當準確的。然而，隨后的研究和晶體管的持續小型化都揭示了晶體管行為中的一系列非理想性。本文將介紹這些非理想性的基礎知識以及它們如何影響模擬集成電路中的晶體管性能。寄生電容由于MOSFET的物理實(shí)現，在端子結之間形成了以下寄生電容：CGS
- 關(guān)鍵字： MOSEFT 晶體管
萬(wàn)億級晶體管芯片之路
- 臺積電、英特爾都在規劃如何走向萬(wàn)億級晶體管。
- 關(guān)鍵字： 晶體管
必看！IGBT基礎知識匯總！
- 01 IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結材料和厚度有關(guān)））MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會(huì )導致Vds很大）IGBT綜合了以
- 關(guān)鍵字： IGBT 晶體管 基礎知識
IBM展示了首個(gè)針對液氮冷卻進(jìn)行優(yōu)化的先進(jìn)CMOS晶體管
- IBM在2023年12月早些時(shí)候的IEEE國際電子器件會(huì )議（IEDM）上展示了首個(gè)針對液氮冷卻進(jìn)行優(yōu)化的先進(jìn)CMOS晶體管。納米片晶體管將通道分割成一堆薄硅片，完全被柵包圍。IBM的高級研究員鮑汝強表示：“納米片器件結構使我們能夠在指甲大小的空間內容納50億個(gè)晶體管?！边@些晶體管有望取代當前的FinFET技術(shù)，并被用于IBM的首個(gè)2納米原型處理器。納米片技術(shù)是邏輯器件逐步縮小的下一步，將其與液氮冷卻技術(shù)搭配可能會(huì )帶來(lái)更好的性能。研究人員發(fā)現，在77K的溫度下運行，與在大約300K的室溫條件下運行相比，設備
- 關(guān)鍵字： IBM 芯片 晶體管
如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應用？
- 如今，越來(lái)越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。如今，越來(lái)越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。晶體管，無(wú)論是由硅還是氮化鎵制成，都不是理想的器件，有兩個(gè)主要因素導致其效率下降（在簡(jiǎn)化模型中）：一個(gè)是串聯(lián)電阻，稱(chēng)為 RDS（ON），另一個(gè)是并聯(lián)電容器稱(chēng)為 C
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 晶體管
晶體管介紹
【簡(jiǎn)介】
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān)，和一般機械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗室中的切換速度可達100GHz以上。
半導體三極管，是內部含有兩個(gè)P [ 查看詳細 ]
晶體管電路
晶體管相關(guān)帖子
晶體管資料下載
晶體管專(zhuān)欄文章
相關(guān)主題
熱門(mén)主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473