武漢全力保障國家存儲器基地建設 國產(chǎn)閃存發(fā)展提速

去年中國進(jìn)口的3000多億美元的半導體芯片中，存儲芯片就占了三分之一左右，價(jià)值上千億美元的芯片基本上沒(méi)有國產(chǎn)的份兒，國內科技產(chǎn)業(yè)存在被卡脖子的可能性，所以發(fā)展國產(chǎn)存儲芯片已經(jīng)是刻不容緩的大事了。

過(guò)去兩年里國內投巨資在武漢建設了國家存儲器基地，負責實(shí)施這個(gè)計劃的是長(cháng)江存儲科技公司。根據官網(wǎng)資料，長(cháng)江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國武漢成立，是一家專(zhuān)注于3D NAND閃存芯片設計、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的IDM存儲器公司。

2017年，長(cháng)江存儲在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路制造工廠(chǎng)的基礎上，通過(guò)自主研發(fā)和國際合作相結合的方式，成功設計并制造了中國首批3D NAND閃存芯片。長(cháng)江存儲在武漢、上海、北京等地設有研發(fā)中心，通過(guò)不懈努力和技術(shù)創(chuàng )新，致力于成為全球領(lǐng)先的NAND閃存解決方案提供商。

日前湖北日報報道稱(chēng)，湖北省委副書(shū)記、省長(cháng)王曉東、武漢市長(cháng)周先旺等高官赴國家存儲器基地調研并現場(chǎng)辦公，王曉東強調在武漢建設國家存儲器基地，是黨中央作出的重大決策部署。

王曉東要求長(cháng)江存儲把握變局、克難奮進(jìn)，搶抓新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革的歷史機遇，以國家先進(jìn)存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新中心和國家半導體三維集成制造創(chuàng )新中心為依托，引進(jìn)培育高端科研人才和團隊，加快芯片全流程智能化制造和國產(chǎn)化進(jìn)程，著(zhù)力構建以芯片為基礎的“芯屏端網(wǎng)”產(chǎn)業(yè)鏈，努力在應對風(fēng)險中攻克難關(guān)、在主攻重點(diǎn)中打造“產(chǎn)業(yè)航母”，加快培育發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)集群。

根據長(cháng)江存儲之前公布的消息，長(cháng)江存儲斥資10億美元研發(fā)成功國產(chǎn)3D NAND閃存，全年小規模試產(chǎn)了32層堆棧的64Gb閃存，今年的目標是量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，再下一代則會(huì )直接進(jìn)入128層堆棧，跳過(guò)了三星、美光、東芝、Intel等公司現在力推的96層堆棧閃存，這幾家公司預計在2020年才會(huì )推出128層堆棧的閃存。

去年長(cháng)江存儲推出了Xtacking結構的3D NAND閃存技術(shù)，該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。長(cháng)江存儲今年8月份將會(huì )推出Xtacking 2.0閃存技術(shù)，Xtacking依然會(huì )不斷進(jìn)化中。