1nm可期！ASML研發(fā)第二代EUV光刻機

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半導體制造過(guò)程中最復雜也是最難的步驟就是光刻，光刻機也因此成為最重要的半導體制造設備。

在7nm制程的較量中，臺積電之所以能夠領(lǐng)先，一個(gè)很重要的原因就是EUV技術(shù)，在半導體制造的工藝中，這部分的成本就能占到33%左右。

目前最先進(jìn)的光刻機就是來(lái)自這家ASML公司生產(chǎn)的EUV光刻機，每臺售價(jià)超過(guò)1億美元，而且供不應求。

ASML的主要客戶(hù)為全球一線(xiàn)的晶圓廠(chǎng)，除了英特爾、三星和臺積電這三大巨頭之外，國內的中芯國際也是ASML的客戶(hù)。

有外媒報道稱(chēng)，ASML公司目前正積極投資研發(fā)新一代EUV光刻機。

和往代的相比，新款EUV光刻機最大的變化就是高數值孔徑透鏡，通過(guò)提升透鏡規格使得新一代光刻機的微縮分辨率、套準精度兩大光刻機核心指標提升70%，達到業(yè)界對幾何式芯片微縮的要求。

之前ASML公布的新一代EUV光刻機的量產(chǎn)時(shí)間是2024年，不過(guò)最新報道稱(chēng)下一代EUV光刻機是2025年量產(chǎn)，這個(gè)時(shí)間上臺積電、三星都已經(jīng)量產(chǎn)3nm工藝了，甚至開(kāi)始沖擊2納米、1納米。