功率半導體市場(chǎng)分析匯總，這一篇就夠了

　　1.2 伴隨著(zhù)社會(huì )電氣化程度的加深，功率半導體長(cháng)遠追求更高的功率密度與更低的功耗

　　功率半導體伴隨著(zhù)電力的運用而誕生，自然也就隨著(zhù)社會(huì )電氣化程度的 加深而發(fā)展。而社會(huì )電氣化程度的提高又主要源于兩個(gè)方面：應用領(lǐng)域的廣 泛化與應用形式的精密化。 應用領(lǐng)域的廣泛化一方面是指新型應用的誕生，代表性的應用包括智能 手機、可穿戴設備等;另一方面是指越來(lái)越多傳統領(lǐng)域的電氣化，代表性的 應用比如過(guò)去10 年間實(shí)現對傳統灶具部分替代的電磁爐、未來(lái)的電動(dòng)汽車(chē)與 物聯(lián)網(wǎng)等。 而應用形式的精密化則是指對用電終端的供電，從原來(lái)粗獷地向所有用 電終端統一直供，漸漸轉化為對每一個(gè)用電終端的精確化控制，代表性的產(chǎn) 品比如電源管理芯片、負載開(kāi)關(guān)等。

　　自然，社會(huì )電氣化程度的提高也對功率半導體提出了相應的要求。

　　而當這些性能要求具體到性能指標的層面時(shí)，則又分為基礎指標和功耗 指標。前者是指為了能實(shí)現某一特定功能，功率半導體必須滿(mǎn)足的指標，比如只有滿(mǎn)足一定的工作電壓、電流密度、工作頻率的功率器件才能驅動(dòng)電動(dòng) 汽車(chē)的電機實(shí)現特定的轉速，又比如只有能耐受一定溫度的功率半導體才可 以運用到一些特定的航天領(lǐng)域;而后者則是滿(mǎn)足了基礎指標后，為了實(shí)現更 高效的目的，所有功率半導體追求更低功耗所參考的指標。

　　這些指標中，頻率指標需要特別關(guān)注，因為頻率(反向恢復時(shí)間的倒數) 一方面決定直流電轉化成交流電的最高頻率，另一方面決定了變壓器等電氣 設備的最小體積，通常來(lái)說(shuō)由功率半導體及配套被動(dòng)元件組成的電氣設備的 體積和重量與供電頻率的平方根成反比。

　　為了滿(mǎn)足越來(lái)越高的指標要求，自 1956年美國貝爾實(shí)驗室發(fā)明晶閘管以 來(lái)，功率半導體一刻不曾停歇，一直在通過(guò)多種方式實(shí)現技術(shù)演進(jìn)。

　　從功率半導體的發(fā)展軌跡來(lái)看，高功率、高頻率(小型化)與低功耗是 技術(shù)演進(jìn)的方向，但三者的關(guān)系有層次之分：不同應用場(chǎng)景對功率的硬性要 求不同，在滿(mǎn)足特定功率要求的基礎上，新的技術(shù)、工藝都在盡量追求小型 化和低功耗。例如新能源汽車(chē)等新興應用市場(chǎng)對高功率半導體的需求巨大， 但GTO等前代功率器件在在體積(重量)、功耗層面性能不足，而以 IGBT 為代表的新型功率器件在保證實(shí)現高功率的基礎上保持了小型化和相對低功 耗的特點(diǎn)，進(jìn)而成為主流的高功率器件。

　　因此我們認為功率半導體的發(fā)展實(shí)際上是在滿(mǎn)足特定功率的基礎上，追 求于更小的體積(重量)和更低的功耗。

　　所以功率半導體長(cháng)遠所追求的，是實(shí)現自身的低功耗與高功率密度(功 率和體積之比)。而擁有著(zhù)更低的功耗和更高的功率密度的功率半導體，驅 動(dòng)著(zhù)我們的世界向著(zhù)更高效、更精密的方向發(fā)展。

　　1.3 受益于清潔能源、電動(dòng)汽車(chē)與物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，預計2022年功率半導體市場(chǎng)規?？蛇_426億美元

　　作為一個(gè)從1956年發(fā)展至今的成熟產(chǎn)業(yè)，功率半導體行業(yè)每年的市場(chǎng)空 間可以被很容易地拆解成兩個(gè)方面：折舊帶來(lái)的替換市場(chǎng)以及電氣化程度加 深帶來(lái)的新增市場(chǎng)。