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功率半導體
功率半導體 文章 進(jìn)入功率半導體技術(shù)社區
功率半導體市場(chǎng)起飛！
- 近期，市場(chǎng)各方消息顯示，功率半導體市場(chǎng)逐漸開(kāi)啟新一輪景氣上行周期，新潔能、揚杰科技、臺基股份等多家功率半導體公司股價(jià)紛紛上漲，包括華潤微、揚杰科技、華虹半導體等在內的企業(yè)產(chǎn)能利用率接近滿(mǎn)載，部分高性能功率器件已率先開(kāi)啟漲價(jià)潮。在此市場(chǎng)景氣上行之際，功率半導體市場(chǎng)也將迎來(lái)新一輪放量周期，近期士蘭微投資120億元的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)正式開(kāi)工，除此之外，包括芯聯(lián)集成、捷捷微電、芯粵能多家企業(yè)功率半導體項目也在上半年有最新動(dòng)態(tài)。多家企業(yè)產(chǎn)能利用率接近滿(mǎn)載從市場(chǎng)需求端看，消費電子行業(yè)從去年末開(kāi)始緩慢
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一文搞懂IGBT
- 01IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結材料和厚度有關(guān)））MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會(huì )導致Vds很大）IGBT綜合了以上兩種器件的
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件
- 近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個(gè)基于Transphorm SuperGaN平臺的系統級封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開(kāi)關(guān)）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
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加速低碳化躍遷，智能功率模塊如何讓熱泵更智能？
- 隨著(zhù)企業(yè)向低碳未來(lái)邁進(jìn)，市場(chǎng)越來(lái)越需要更高效的功率半導體。開(kāi)發(fā)功率半導體解決方案的關(guān)鍵目標在于，盡量降低系統總成本和縮小尺寸，同時(shí)提高效率。于是，智能功率模塊 (IPM) 應運而生，并成為熱泵市場(chǎng)備受矚目的解決方案。這種模塊結構緊湊、高度集成，具有高功率密度以及先進(jìn)的控制與監測功能，非常適合熱泵應用。熱泵的重要性根據歐盟統計局數據，在歐盟消耗的所有能源中，約 50% 用于供暖和制冷，而且超過(guò) 70% 仍然來(lái)自化石燃料（主要是天然氣）。在住宅領(lǐng)域，約 80% 的最終能源消耗用于室內和熱水供暖。熱泵（圖
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英飛凌為麥田能源提供功率半導體，助力提升儲能應用效率
- 英飛凌科技股份公司為快速成長(cháng)的綠色能源行業(yè)領(lǐng)導者、逆變器及儲能系統制造商——麥田能源提供功率半導體器件，共同推動(dòng)綠色能源發(fā)展。英飛凌將為麥田能源提供?CoolSiCTM?MOSFET 1200 V功率半導體器件，?配合EiceDRIVER?柵極驅動(dòng)器用于工業(yè)儲能應用。?同時(shí)，麥田能源的組串式光伏逆變器將使用英飛凌的?IGBT7 H7 1200 V功率半導體器件。全球光儲系統（PV-ES）市場(chǎng)近年來(lái)高速增長(cháng)。光儲市場(chǎng)競爭加速，提高功率密度成為制勝關(guān)鍵；儲能應
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三菱電機投資氧化鎵功率半導體
- 3月26日，在三菱電機舉辦的主題為可持續發(fā)展倡議在線(xiàn)會(huì )議上，三菱電機宣布將對有望成為下一代半導體的氧化鎵（Ga2O3）進(jìn)行投資研發(fā)。與主要用于電動(dòng)汽車(chē)（xEV）的碳化硅（SiC）功率半導體相比，三菱電機稱(chēng)這一布局是“為擴大更高電壓的市場(chǎng)”。三菱電機表示，2024年~2030年，公司將投入約9000億日元（折合人民幣約430億元）用于碳化硅、氧化鎵等下一代功率半導體、材料和產(chǎn)品的回收利用、可再生能源等綠色領(lǐng)域的研發(fā)。據了解，2023年7月，該公司宣布已投資Novel Crystal Technology（N
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廠(chǎng)商“瘋狂”發(fā)力碳化硅
- 3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠(chǎng)“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據其介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，占地445英畝，一期建設預計將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執行官Gregg Lowe表示，工廠(chǎng)已開(kāi)始安裝長(cháng)晶設備，預估今年12月份或者明年1月，這座工廠(chǎng)將會(huì )有產(chǎn)出。該工廠(chǎng)將主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圓，尺寸是150mm（6英寸）晶圓的1.7倍，滿(mǎn)足對于能源轉型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導體的需求
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Wolfspeed宣布其全球最大、最先進(jìn)的碳化硅工廠(chǎng)封頂
- 2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美國北卡羅來(lái)納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據官方介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，獲得了來(lái)自公共部門(mén)和私營(yíng)機構的支持，將助力從硅向碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉型，提升對于能源轉型至關(guān)重要的材料的供應。該中心占地445英畝，一期建設預計將于2024年底竣工，該中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著(zhù)擴大Wolfspeed材料產(chǎn)能，滿(mǎn)足對于能源轉型和AI人工智能至關(guān)重要的新一代半導體的
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基礎知識之IGBT
- 什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母縮寫(xiě)，也被稱(chēng)作絕緣柵雙極晶體管。 IGBT被歸類(lèi)為功率半導體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開(kāi)關(guān)。 根據其分別可支持的開(kāi)關(guān)速度，BIPOLAR適用于中速開(kāi)關(guān)，MOSFET則適用于高頻領(lǐng)域。IGBT是輸入部為MOSFET結構、輸出部為BIPOLAR結構的元器件，通過(guò)
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國創(chuàng )中心車(chē)規功率半導體測試實(shí)驗室在北京亦莊啟用
- 據國創(chuàng )中心公眾號消息，近日，國家新能源汽車(chē)技術(shù)創(chuàng )新中心車(chē)規功率半導體測試實(shí)驗室正式投入運營(yíng)，為汽車(chē)半導體的技術(shù)進(jìn)步和質(zhì)量提升提供支撐。由于車(chē)規功率半導體具有高可靠性、高效率、高功率密度、快速開(kāi)關(guān)能力、耐高溫特性等特點(diǎn)，因此需要通過(guò)嚴格的質(zhì)量認證和測試來(lái)確保其質(zhì)量和可靠性。據悉，目前，該實(shí)驗室測試能力已涵蓋AECQ101、AQG324等行業(yè)標準，并持續完善車(chē)規級碳化硅（SiC）、板級及系統級測試，確保滿(mǎn)足最嚴苛的汽車(chē)電子質(zhì)量要求。其中，面向行業(yè)研究熱點(diǎn)之一的SiC，該實(shí)驗室能對Si基和SiC基的DIODE、
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漲價(jià)函紛飛，功率半導體乘勢而起？
- 2019至2022年間新能源汽車(chē)、光伏、半導體等下游需求持續旺盛，全球范圍內晶圓產(chǎn)能不足，功率半導體行業(yè)供不應求，曾出現多次漲價(jià)，其中IGBT、SiC MOSFET等十分緊俏。自2022年以來(lái)，全球范圍內產(chǎn)能逐步釋放，功率半導體市場(chǎng)行情回落，從二三極管、晶體管、中低壓 MOS到高壓MOS都出現供需反轉并大幅降價(jià)；加之消費電子市場(chǎng)疲軟大背景下，庫存去化成為功率半導體市場(chǎng)近兩年主旋律。然而，自2023年12月至今年1月，媒體報道包括捷捷微電、三聯(lián)盛、藍彩電子、揚州晶新、深微公司在內的五家本土功率半導體
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2024年，功率半導體怎么走？
- 功率半導體，又稱(chēng)電力電子器件或功率電子器件，是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的器件之一。中國作為全球最大的功率半導體消費國，貢獻了約 40% 的功率半導體市場(chǎng)。MOSFET 和 IGBT 為功率半導體產(chǎn)品主力。2023 年，半導體正式步入下行周期。在下行的背景下，整個(gè)行業(yè)都面臨著(zhù)前所未有的挑戰。功率半導體在瑟瑟的寒風(fēng)中，卻顯得與眾不同。本文中，我們將一起看看功率半導體的 2023 以及 2024 的變化情況。MOSFET 的 2023先來(lái)看看 MOSFET 的情況。MOSFET 器件具有開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、熱穩定
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把握功率半導體三大演變趨勢 漢高創(chuàng )新材料引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展
- 新年伊始，越來(lái)越多的外資企業(yè)開(kāi)始展望2024年在中國的發(fā)展，并持續加大在中國市場(chǎng)的投入。一直秉持著(zhù)“在中國，為中國”的漢高，通過(guò)不斷探索創(chuàng )新，引領(lǐng)綠色低碳新發(fā)展模式，并以實(shí)際行動(dòng)踐行持續加碼中國的承諾。隨著(zhù)科技的飛速發(fā)展，功率半導體器件在日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著(zhù)愈發(fā)重要的作用。它們不僅應用于手機、電腦和其他電子設備，還涉及到汽車(chē)、工業(yè)、通訊、AI等多個(gè)領(lǐng)域。為了更好地適應市場(chǎng)需求，半導體器件的開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)正朝著(zhù)更高效、更可靠和更本地化的方向發(fā)展。作為半導體封裝材料專(zhuān)家，漢高也在不斷地為行業(yè)帶來(lái)眾多的創(chuàng )新技
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英飛凌：車(chē)企與半導體廠(chǎng)商直接簽訂長(cháng)期合同的情況在增加
- 12月5日消息，據日經(jīng)中文網(wǎng)消息，英飛凌汽車(chē)部門(mén)總裁Peter Schiefer日前受訪(fǎng)時(shí)表示，車(chē)企與半導體廠(chǎng)商直接談判、簽訂長(cháng)期合同的情況在增加。經(jīng)歷疫情之后，與汽車(chē)廠(chǎng)商的關(guān)系確實(shí)發(fā)生了變化。汽車(chē)廠(chǎng)商開(kāi)始希望從設計階段細致了解并管理自家使用的運算用MCU。在新能源車(chē)用半導體方面，為了能夠長(cháng)期采購到半導體，汽車(chē)廠(chǎng)商提出意見(jiàn)稱(chēng)，希望與半導體廠(chǎng)商直接談判，簽訂長(cháng)期供應合同。跳過(guò)1級供應商（Tier1）進(jìn)行對話(huà)的機會(huì )增加。Peter Schiefer表示，汽車(chē)廠(chǎng)商會(huì )指定半導體供應商，由其自身或者1級供應商在一定
- 關(guān)鍵字： MCU 功率半導體 英飛凌 汽車(chē)廠(chǎng) Tier1
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