聯(lián)電與晉華裂痕的背后，是中國晶圓廠(chǎng)的“重生”

　　日前美國司法部宣布，對福建晉華、其合作伙伴聯(lián)華電子以及三名個(gè)人提起訴訟，指控兩家公司涉嫌竊取美國存儲芯片公司美光科技的知識產(chǎn)權和商業(yè)機密，估計價(jià)值達87.5億美元。所有被告都被指控共謀經(jīng)濟間諜罪。如果罪名成立，被告企業(yè)將面臨最高逾200億美元罰款。這是繼中興之后，美國政府再次對中國科技企業(yè)實(shí)施出口限制令。被處罰的福建晉華同樣屬于“中國制造2025計劃”，這不僅是福建晉華遭受的沉重打擊，也是中國存儲芯片制造本地化受到的重大挫折。

　　中美貿易戰為我國半導體行業(yè)敲響警鐘，半導體自主可控不僅僅是口號，更是涉及到國家安全、國計民生的要務(wù)，隨著(zhù)自主可控呼聲越來(lái)越大，集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求必將倒逼芯片國產(chǎn)化進(jìn)程。未來(lái)設備國產(chǎn)化是必然選擇，隨著(zhù)國家半導體行業(yè)的發(fā)展，國產(chǎn)設備市場(chǎng)空間超百億。

　　晶圓廠(chǎng)的投資建廠(chǎng)熱潮

　　芯片應用領(lǐng)域擴大，半導體行業(yè)進(jìn)入高景氣周期確定。隨著(zhù)AI芯片、5G芯片、汽車(chē)電子、物聯(lián)網(wǎng)等下游的興起，全球半導體行業(yè)重回景氣周期。存儲器行業(yè)3D NAND擴產(chǎn)導致應用領(lǐng)域擴大，全球晶圓廠(chǎng)擴建對芯片需求上升。全球晶圓廠(chǎng)興建，半導體設備投資大增。過(guò)去兩年全球共興建十七座12寸晶圓廠(chǎng)，有十座設在中國大陸。2016-2017年中國大陸興建晶圓廠(chǎng)潮將帶來(lái)2018-2019年的設備投資潮，整個(gè)全球半導體設備產(chǎn)業(yè)將會(huì )出現前所未見(jiàn)的欣欣向榮局面。中國大陸預計于2019年成為全球設備支出最高地區，為國產(chǎn)半導體設備的崛起提供了發(fā)展機會(huì )。

　　據報告顯示，2017年晶圓廠(chǎng)設備投資金額將達歷史最高值570億美元。對芯片的需求、內存漲價(jià)以及激烈的競爭推動(dòng)晶圓廠(chǎng)投資額到達高位，許多公司的投資都超過(guò)歷史記錄，用于新的晶圓廠(chǎng)建設和設備。

　　晶圓廠(chǎng)設備采購的激增與全球集成電路產(chǎn)業(yè)向國內轉移脫不開(kāi)關(guān)系——過(guò)去兩年間，全球新建17座12寸晶圓制造廠(chǎng)，其中10座位于中國大陸，從2017年到2020年，預計全球新增半導體產(chǎn)線(xiàn)62條，其中有26條位于中國大陸，占總數的42%。

　　有公開(kāi)數據顯示，僅在2018年就有多條產(chǎn)線(xiàn)完工或投產(chǎn)。

　半導體設備壟斷程度高，國產(chǎn)化困難重重

　　2016年全球半導體專(zhuān)用設備前十市占率達92%，銷(xiāo)售規模達379億美元，而中國半導體設備前十銷(xiāo)售額近7.3億美元，其主要原因是集成電路行業(yè)屬于典型技術(shù)和資本密集型行業(yè)，技術(shù)差距大，我國設備自制率僅14%，且集中于后道的封測環(huán)節，未來(lái)隨著(zhù)我國政策和資金持續扶持加碼，關(guān)鍵設備有望實(shí)現技術(shù)突破。

　　1996年5月12日于荷蘭瓦圣納簽署《瓦圣納協(xié)議》，協(xié)定包括加入管制敏感性高科技輸往中國等國家，基于該協(xié)議的技術(shù)封鎖導致半導體設備國產(chǎn)化困難重重，只能依靠進(jìn)口國外落后的設備和自主研發(fā)。

　　半導體產(chǎn)業(yè)鏈的上、中、下游

　　目前，半導體產(chǎn)業(yè)鏈的上游是支撐產(chǎn)業(yè)鏈，包括了半導體原材料生產(chǎn)、加工設備制造及廠(chǎng)房的修建等;中游是核心加工環(huán)節，分為芯片設計、晶圓加工、封裝測試;下游是半導體產(chǎn)品在各行各業(yè)的應用。

　　其中上游及中游的晶圓加工是技術(shù)密集型和資本密集型產(chǎn)業(yè)，集中度也最高。

　　以晶圓上游硅晶圓為例，全球92%產(chǎn)能在日本信越、勝高、德國Silitronic、臺灣環(huán)球晶圓、南韓LG五大企業(yè)手中，且五大巨頭無(wú)大規模擴產(chǎn)計劃。

　　以設備供應商為例，美國Applie Materials、Lam Research、荷蘭ASML、日本Tokyo Electron 、DNS等前十大半導體廠(chǎng)商市占率在90%以上，在細分品種上都有著(zhù)壟斷性?xún)?yōu)勢。

　　我國半導體市場(chǎng)需求占據全球約3成比例，但2016年產(chǎn)業(yè)自給率僅有36%，嚴重依賴(lài)進(jìn)口，集成電路貿易逆差達1657億美元。這些都不是輕易能夠逾越過(guò)去的鴻溝，正因如此國產(chǎn)替代顯得尤為緊迫。

　　在這方面，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(大基金)一期1387億元投資布局在上下游細分領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，正是為了完成產(chǎn)業(yè)布局，尋求“超車(chē)”機會(huì )。多省市也陸續成立或籌建集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金。

　　大陸半導體核心產(chǎn)業(yè)鏈逐步規?；?/strong>

　　半導體產(chǎn)業(yè)鏈分為核心產(chǎn)業(yè)鏈、支撐產(chǎn)業(yè)鏈。核心產(chǎn)業(yè)鏈包括半導體產(chǎn)品的設計、制造及封裝測試。支撐產(chǎn)業(yè)鏈則包括為設計環(huán)節服務(wù)的EDA(電子設計自動(dòng)化)工具及IP核供應商、為制造封測環(huán)節服務(wù)的原材料及設備供應商。

　　半導體支撐產(chǎn)業(yè)鏈由歐美日本壟斷，大陸廠(chǎng)商與國際龍頭技術(shù)及規模差距甚大。EDA工具環(huán)節由美國絕對主導，IP核由英美兩國主導，大陸企業(yè)在此領(lǐng)域涉足甚少。原材料由日本主導，大陸企業(yè)在靶材、拋光液個(gè)別領(lǐng)域已達國際水平，但在硅片、光罩、光刻膠等核心領(lǐng)域仍有較大差距。設備環(huán)節仍主要由歐美、日本壟斷，大陸企業(yè)在MOCVD等個(gè)別細分領(lǐng)域有所突破。大陸半導體核心產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節正逐步規?；?，陸續誕生躋身全球前十的龍頭廠(chǎng)商。

　　大陸芯片設計業(yè)：全球市占率已達22%，龍頭企業(yè)為華為海思、紫光。盡管全球IC設計業(yè)已漸趨放緩，但大陸IC設計市場(chǎng)成長(cháng)迅速，未來(lái)三年復合增長(cháng)預計提速至30%。然而大多數企業(yè)仍在盈利線(xiàn)上掙扎，成長(cháng)質(zhì)量亟待提升。絕大部分企業(yè)聚焦中低端市場(chǎng)，在CPU、存儲器等高端通用領(lǐng)域與國際先進(jìn)水平差距較大。

　　大陸晶圓代工業(yè)：全球市占率為10%，相對薄弱，龍頭企業(yè)為中芯國際、華虹。下游IC設計業(yè)快速成長(cháng)帶來(lái)晶圓代工剛需，疊加政策資金重點(diǎn)扶持，預計未來(lái)三年復合增速在15%以上。大陸代工廠(chǎng)仍未完全掌握28nm及以下先進(jìn)工藝，較國際龍頭仍有兩代技術(shù)差距，產(chǎn)品利潤率不甚理想。

　　3、大陸芯片封測業(yè)：全球市占率已達17%，龍頭企業(yè)為長(cháng)電、華天、通富微電。在上游晶圓代工業(yè)帶動(dòng)下，未來(lái)三年復合增速預計維持在10-15%。大陸企業(yè)技術(shù)逐漸向一線(xiàn)靠齊，預計未來(lái)三年利潤率逐年改善。

　　總結

　　雖然我國設備市場(chǎng)呈現繁榮景象，半導體制造設備國產(chǎn)化進(jìn)程不斷加速，但國產(chǎn)化完全替代不是一撮而就，只有不斷加強研發(fā)水平、提高技術(shù)能力，才能真真正正提高我國半導體制造設備的國際競爭力。