ASML出貨新光刻機NXT2000i:用于7nm/5nm DUV工藝
據外媒報道,光刻機霸主ASML(阿斯麥)已經(jīng)開(kāi)始出貨新品Twinscan NXT:2000i DUV(NXT:2000i雙工件臺深紫外光刻機),可用于7nm和5nm節點(diǎn)。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201808/390073.htmNXT:2000i將是NXE:3400B EUV光刻機的有效補充,畢竟臺積電/GF的第一代7nm都是基于DUV工藝。
同時(shí),NXT:2000i也成為了ASML旗下套刻精度(overlay)最高的產(chǎn)品,達到了和3400B一樣的1.9nm(5nm要求至少2.4nm,7nm要求至少3.5nm)。
ASML將于本季度末開(kāi)始量產(chǎn)Twinscan NXT:2000i,價(jià)格未披露。目前,NXE:3400B EUV光刻機的報價(jià)是1.2億美元一臺,傳統的ArF沉浸式光刻機(14nm節點(diǎn))報價(jià)是7200萬(wàn)美元之間, NXT:2000i肯定是在這兩者之間了。

最后簡(jiǎn)單介紹下ASML公司,其脫胎于荷蘭飛利浦的光刻研發(fā)小組,2017年全球光刻機市場(chǎng)占比7成,是絕對的一哥,后面跟著(zhù)的是佳能、尼康和上海微電子。
集成電路在制作過(guò)程中經(jīng)歷材料制備、掩膜、光刻、刻蝕、清洗、摻雜、機械研磨等多個(gè)工序,其中以光刻工序最為關(guān)鍵,它是整個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)制造工藝先進(jìn)程度的重要指標,即在芯片制造過(guò)程中的掩膜圖形到硅襯底圖形之間的轉移。(上刻出晶體管器件的結構和晶體管之間的連接通路。)

圖為NXE:3300 EUV光刻機
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