96層3D NAND明年量產(chǎn) 群聯(lián)控制器方案準備就緒

　　為實(shí)現更高儲存密度，NAND Flash的堆棧層數不斷增加，單一晶胞內能儲存的信息也越來(lái)越多。 目前NAND Flash芯片已經(jīng)進(jìn)入64層TLC時(shí)代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業(yè)者都將進(jìn)一步推出96層QLC顆粒。 為了因應即將量產(chǎn)的新一代NAND Flash規格特性，控制器業(yè)者群聯(lián)已備妥對應的解決方案。

　　群聯(lián)電子發(fā)言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術(shù)不斷推進(jìn)，目前64層TLC已經(jīng)是相當穩定的產(chǎn)品。 而為了進(jìn)一步提升儲存密度，NAND Flash供貨商正在努力往96層QLC發(fā)展，屆時(shí)單一顆粒的儲存容量將可達1TB。 其實(shí)，目前已經(jīng)有業(yè)者發(fā)表采用QLC架構的64層3D NAND Flash，但技術(shù)驗證的意味濃厚，預計要等到2019年推出的96層3D NAND Flash，才會(huì )開(kāi)始大量采用QLC。

　　為了因應此一技術(shù)發(fā)展趨勢，群聯(lián)在Computex期間正式發(fā)表其第一款支持3D QLC的控制芯片。 由于QLC架構雖可實(shí)現更高的儲存密度，但數據儲存的可靠度跟讀寫(xiě)速度卻會(huì )受到影響，因此該控制器搭載了群聯(lián)自行研發(fā)的第四代SmartECC技術(shù)，在PCIe Gen3x4的帶寬下，讀寫(xiě)效能均可達3,200MB/s， IOPS則均為600K。

　　群聯(lián)進(jìn)一步解釋?zhuān)敂祿粚?xiě)入到NAND Flash內部時(shí)，其支持SmartECC的控制器同時(shí)會(huì )產(chǎn)生一組校正碼，與數據一起存入。 數據從NAND讀回時(shí)若發(fā)生錯誤，控制芯片會(huì )透過(guò)校正碼更正數據，若該錯誤無(wú)法透過(guò)ECC校正碼成功更正，這筆數據就會(huì )進(jìn)入SmartECC的補救流程，藉由特別設計的算法修正數據，提高數據可靠性。

　　不過(guò)，有業(yè)界人士認為，由于QLC的可靠度比TLC更差，因此即便96層QLC顆粒在2019年進(jìn)入量產(chǎn)，要應用在固態(tài)硬盤(pán)(SSD)上，可能還需要一段時(shí)間。 采用96層QLC顆粒的第一批終端應用產(chǎn)品應該不會(huì )是固態(tài)硬盤(pán)，而是USB隨身碟這類(lèi)對可靠度要求較低的應用。 而這也意味著(zhù)USB隨身碟容量大舉進(jìn)入1TB的時(shí)間點(diǎn)，可能會(huì )出現在2019年。