中國存儲器芯片市場(chǎng)風(fēng)云迭起 誰(shuí)將成為“攪局者”？

　　隨著(zhù)全球信息化浪潮的不斷涌起，智能手機、人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域迎來(lái)高速發(fā)展契機。值此背景之下，其上游存儲器芯片產(chǎn)業(yè)再遇爆發(fā)期，作為生產(chǎn)、消費大國的中國，自然首當其沖，成為存儲器芯片大戰的主戰場(chǎng)。在中國存儲器芯片市場(chǎng)風(fēng)云迭起的同時(shí)，“攪局者”的出現正緩緩改變著(zhù)戰場(chǎng)的局勢……

　　美日韓的壟斷之勢

　　在全球半導體市場(chǎng)日益擴張的趨勢下，芯片市場(chǎng)供不應求之勢越發(fā)明顯，這其中又以存儲器市場(chǎng)為最。據統計，2016全球存儲器市場(chǎng)容量約800億美元左右，約占半導體市場(chǎng)的23%，是僅次于邏輯電路的第二大產(chǎn)品。

　　以目前市場(chǎng)來(lái)看，存儲器主要分為DRAM和NAND Flash兩大類(lèi)。其中2016年DARM市場(chǎng)容量約414億美元，NAND Flash約346億美元。在DRAM方面，全球DRAM價(jià)格持續七個(gè)季度高漲，是歷來(lái)漲勢最久的一次，據業(yè)界人士預測，此漲勢將持續至2018年第二季度。在NAND Flash方面，全球NAND Flash產(chǎn)線(xiàn)出現2D向3D轉移的現象，且3D NAND 在SSD產(chǎn)品上的應用也日趨增多，至此閃存市場(chǎng)供應得到緩解。

　　而在供應短缺以及高增長(cháng)的背后，壟斷之勢也越發(fā)明顯。據數據調查顯示，僅三星電子、SK海力士、英特爾、美光科技以及東芝半導體等五家美日韓半導體企業(yè)，幾乎壟斷了全球95%左右的存儲器市場(chǎng)。

　　以三星電子為例，據業(yè)界人士預估，在三星今年260億美元半導體資金中，3D NAND Flash約為140億美元，DRAM約為70億美元。面對如此“誘人”的存儲器市場(chǎng)，三星電子完全無(wú)法忍住誘惑。據消息透漏，三星電子計劃于2018年將DRAM價(jià)格上調5%左右，并且會(huì )加大3D NAND Flash技術(shù)研發(fā)的投入。而且，隨著(zhù)智能手機、人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)需求的增加，3D NAND Flash將得到長(cháng)足發(fā)展。在這種趨勢下，中國也開(kāi)始了布局。

　　紫光國際“攪局” 破勢而出

　　事實(shí)上，在全球存儲器市場(chǎng)需求的不斷驅動(dòng)下，中國存儲器市場(chǎng)的起色也很明顯。為了打破美日韓企業(yè)的壟斷之勢，中國芯片企業(yè)并未放棄對半導體的研究。而且隨著(zhù)半導體制程技術(shù)的不斷衍進(jìn)，存儲器芯片研發(fā)難度隨之加大，加之3D NAND技術(shù)的出現，都為國產(chǎn)存儲器廠(chǎng)商彎道超車(chē)提供了機會(huì )。

　　2016年，在三星電子、SK海力士、英特爾、美光以及東芝等存儲器廠(chǎng)商開(kāi)始量產(chǎn)32層3D NAND Flash的時(shí)候，國內存儲器廠(chǎng)商才開(kāi)始布局，錯失良機的國內存儲器廠(chǎng)商急忙與政府合作，投資建立“國產(chǎn)存儲器基地”，建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠(chǎng)房以供3D NAND Flash研發(fā)與生產(chǎn)。在這場(chǎng)全球3D NAND Flash市場(chǎng)之戰中，紫光國際首先“舉旗”，長(cháng)江存儲、武漢新芯以及中國科學(xué)院微電子研究所緊隨其后，互相配合共同研發(fā)3D NAND Flash技術(shù)。

　　2017年11月中旬，長(cháng)江存儲已經(jīng)成功研發(fā)出32層3D NAND Flash芯片，預計將于2018年實(shí)現量產(chǎn)。目前，紫光國際與長(cháng)江存儲已經(jīng)在研究64層3D NAND Flash技術(shù)，預計將于2019年實(shí)現量產(chǎn)。

　　機遇與挑戰并存

　　當然，彎道超車(chē)依舊困難重重。從國內存儲器廠(chǎng)商的發(fā)展情況來(lái)看，主要面臨的機遇有以下四點(diǎn)：

　　其一，全球存儲器芯片價(jià)格持續走高、市場(chǎng)供不應求的趨勢;

　　其二，智能手機、人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)等科技的不斷發(fā)展，導致存儲器芯片的需求也隨之增加;

　　其三，全球存儲器領(lǐng)先技術(shù)突破的趨勢減緩，各項技術(shù)的不斷成熟;

　　其四，國家政策的不斷出臺，政企聯(lián)合之勢擴大。

　　在機遇存在的同時(shí)，國內存儲器廠(chǎng)商所面臨的挑戰也不可謂不小，主要體現在以下三方面：

　　其一，國內存儲器技術(shù)人才匱乏，導致技術(shù)研發(fā)速度過(guò)慢;

　　其二，原材料價(jià)格的不斷上漲，導致投入過(guò)高;

　　其三，存儲器增長(cháng)過(guò)快，產(chǎn)能過(guò)剩的風(fēng)險隨時(shí)將至。

　　小結：

　　從國內存儲器市場(chǎng)的趨勢來(lái)看，紫光國際以及長(cháng)江存儲已成為“攪局者”，于國內存儲器產(chǎn)業(yè)而言，將是一把利劍，也是打破美日韓壟斷國內存儲器市場(chǎng)的希望?？梢灶A料的是，隨著(zhù)國內3D NAND Flash技術(shù)的不斷突破與成熟，加之DRAM產(chǎn)量的不斷提升，未來(lái)與五大存儲器巨頭的差距將越來(lái)越小。