iPhone7采用的扇出型晶圓級封裝技術(shù)是什么？

　　傳蘋(píng)果在2016年秋天即將推出的新款智能型手機iPhone 7（暫訂）上，將搭載采用扇出型晶圓級封裝（Fan-out WLP；FOWLP）的芯片，讓新iPhone更輕薄，制造成本更低。

　　那什么是FOWLP封裝技術(shù)呢？

　　Fan Out WLP的英文全稱(chēng)為（Fan-Out Wafer Level Packaging；FOWLP），中文全稱(chēng)為（扇出型晶圓級封裝），其采取拉線(xiàn)出來(lái)的方式，成本相對便宜；fan out WLP可以讓多種不同裸晶，做成像WLP制程一般埋進(jìn)去，等于減一層封裝，假設放置多顆裸晶，等于省了多層封裝，有助于降低客戶(hù)成本。此時(shí)唯一會(huì )影響IC成本的因素則為裸晶大小。

　　Fan-out封裝最早在2009~2010年由Intel Mobil提出，僅用于手機基帶芯片封裝。

　　2013年起，全球各主要封測廠(chǎng)積極擴充FOWLP產(chǎn)能，主要是為了滿(mǎn)足中低價(jià)智慧型手機市場(chǎng)，對于成本的嚴苛要求。FOWLP由于不須使用載板材料，因此可節省近30%封裝成本，且封裝厚度也更加輕薄，有助于提升晶片商產(chǎn)品競爭力。

　　優(yōu)勢：

　　系統級封裝（System in Package；SiP）結合內嵌式（Embedded）印刷電路板（Printed Circuit Board；PCB）技術(shù)雖符合移動(dòng)設備小型化需求，然而供應鏈與成本存在問(wèn)題，另一方面，扇出型晶圓級封裝（Fan-out Wafer Level Package；FoWLP）不僅設計難度低于矽穿孔（Through Silicon Via；TSV） 3D IC，且接近2.5D IC概念與相對有助降低成本，可望成為先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展要點(diǎn)。

　　挑戰：

　　雖然Fan-Out WLP可滿(mǎn)足更多I/O數量之需求。然而，如果要大量應用Fan-Out WLP技術(shù)，首先必須克服以下之各種挑戰問(wèn)題：

　?。?） 焊接點(diǎn)的熱機械行為： 因Fan-Out WLP的結構與BGA構裝相似，所以Fan-Out WLP焊接點(diǎn)的熱機械行為與BGA構裝相同，Fan-Out WLP中焊球的關(guān)鍵位置在硅晶片面積的下方，其最大熱膨脹系數不匹配點(diǎn)會(huì )發(fā)生在硅晶片與PCB之間。

　?。?） 晶片位置之精確度： 在重新建構晶圓時(shí)，必須要維持晶片從持取及放置（Pick and Place）于載具上的位置不發(fā)生偏移，甚至在鑄模作業(yè)時(shí)，也不可發(fā)生偏移。因為介電層開(kāi)口，導線(xiàn)重新分布層（Redistribution Layer; RDL）與焊錫開(kāi)口（Solder Opening）制作，皆使用黃光微影技術(shù)，光罩對準晶圓及曝光都是一次性，所以對于晶片位置之精確度要求非常高。

　?。?） 晶圓的翹曲行為： 人工重新建構晶圓的翹曲（Warpage）行為，也是一項重大挑戰，因為重新建構晶圓含有塑膠、硅及金屬材料，其硅與膠體之比例在X、Y、Z三方向不同，鑄模在加熱及冷卻時(shí)之熱漲冷縮會(huì )影響晶圓的翹曲行為。

　?。?） 膠體的剝落現象： 在常壓時(shí)被膠體及其他聚合物所吸收的水份，在經(jīng)過(guò)220~260℃迴焊（Reflow）時(shí)，水份會(huì )瞬間氣化，進(jìn)而產(chǎn)生高的內部蒸氣壓，如果膠體組成不良，則易有膠體剝落之現象產(chǎn)生。

　　對PCB市場(chǎng)的沖擊：

　　本文開(kāi)頭講到蘋(píng)果在今年下半年推出的iPhone 7上將會(huì )使用此封裝技術(shù)，由于蘋(píng)果一年可賣(mài)出上億臺iPhone，若未來(lái)采用FOWLP封裝，勢必影響印刷電路板市場(chǎng)需求。

　　在印刷電路板市場(chǎng)上，用于半導體的印刷電路板屬于附加價(jià)值較高的產(chǎn)品。2015年全球半導體印刷電路板市場(chǎng)規模約為84億美元，但面對新技術(shù)與蘋(píng)果的決策影響，未來(lái)恐難維持相同市場(chǎng)規模。

　　所以業(yè)界預測，未來(lái)可能將FOWLP技術(shù)擴大用于其他零件，其他行業(yè)者也可能跟進(jìn)，因此印刷電路板市場(chǎng)萎縮只是時(shí)間早晚的問(wèn)題。