臺積電的“12nm”工藝有什么改進(jìn)？ NVIDIA成首家客戶(hù)

　　雖然,臺積電很早就說(shuō)自己的的10nm工藝已進(jìn)入量產(chǎn),但是到目前為止,還沒(méi)有一款基于臺積電10nm工藝的終端產(chǎn)品正式發(fā)布。此前有消息稱(chēng)臺積電在10nm良率上遇到了一些問(wèn)題。所以,相應終端產(chǎn)品的面世可能還需要一段時(shí)間。

　　根據最新的消息顯示,NVIDIA針對自動(dòng)駕駛及AI運算市場(chǎng)所推出的Xavier SoC處理器當中的新一代Volta GPU,將使用臺積電的“12nm”工藝,預計最快將在今年下半年量產(chǎn)。

　　不過(guò)需要注意的是,臺積電的12nm工藝跟GlobalFoundries的12nm FD-SOI工藝不同,它實(shí)際上是現有16nm工藝的改進(jìn)版。

　　據爆料,臺積電即將推出的所謂的12nm,其實(shí)是現有16nm工藝的第四代縮微改良版本,具有更低的漏電流及成本,并且線(xiàn)寬微縮能力已領(lǐng)先三星14nm。而改稱(chēng)12nm的目的是反擊三星、GlobalFoundries、中芯國際等對手的14/12nm工藝優(yōu)勢,牢牢控制10-28nm之間的代工市場(chǎng)。

　　其實(shí)這樣的數字游戲在半導體行業(yè)由來(lái)已久,最開(kāi)始是三星在與臺積電的競爭當中搶先將推出了14nm(實(shí)際上20nm工藝),所以隨后臺積電隨后也被迫跟進(jìn)玩起了數字游戲。

　　然而這樣一來(lái),GlobalFoundries去年推出的12nm FD-SOI工藝就變得有點(diǎn)尷尬了。

　　資料顯示,GlobalFoundries的12nm FD-SOI工藝能夠以低于16nm FinFET的功耗和成本提供等同于10nm FinFET的性能。支持全節點(diǎn)縮放,性能比現有FinFET工藝提升了15%,功耗降低了50%。而掩膜成本則比少于10nm FinFET工藝減少40%!

　　也就是說(shuō),GlobalFoundries在成本、功耗等方面都要優(yōu)于臺積電的16nm。但是現在,臺積電的第四代16nm也改名叫“12nm”了,顯然這在宣傳和營(yíng)銷(xiāo)上給人的感覺(jué)是二者在工藝水平上沒(méi)有什么區別。而且,臺積電的招牌比GlobalFoundries也要更響一些。另外,GlobalFoundries的12nm FD-SOI的量產(chǎn)時(shí)間可能要比臺積電的“12nm”更晚,這些都將使得GlobalFoundries的12nm FD-SOI工藝在后續的市場(chǎng)競爭當中可能將處于被動(dòng)的局面。