今年三星電子將在半導體設施上投資125億美元

　　有預測稱(chēng)，三星電子今年將在半導體設施上投資125億美元(約合14.5萬(wàn)億韓元)。

　　據市場(chǎng)調查機構“IC洞察”7日透露，三星電子今年在半導體領(lǐng)域設施上的投資額將比去年增長(cháng)11%，達到125億美元的規模。去年的設施投資額為113億美元(約合13.11萬(wàn)億韓元)。

　　存儲器半導體和系統LSI的投資比重為8：2左右。三星電子正在京畿道平澤市興建世界最大規模的半導體生產(chǎn)線(xiàn)。一旦工廠(chǎng)竣工，將從今年中期開(kāi)始存儲器半導體V nand flash的量產(chǎn)。電子業(yè)界認為，三星針對半導體市場(chǎng)看好的預測，擴大了投資的規模。隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的擴大和高級數碼機器的上市，存儲器半導體的需求將大幅增加。

　　SK海力士公司今年將在設施上投資60億美元(約合6.96萬(wàn)億韓元)。這是全球范圍內第四大投資額，也比去年的51.8億美元(約合6.02萬(wàn)億韓元)增加約14%。分析認為，繼去年下半年(7?12月)D-RAM市場(chǎng)恢復增長(cháng)勢頭之后，該公司積極投入3D Nand市場(chǎng)，將繼續擴大投資規模。SK海力士公司首先在京畿道利川的下一代D-RAM生產(chǎn)線(xiàn)M14建立與無(wú)塵室相關(guān)的基礎設施上投入巨資。在發(fā)布1月份業(yè)績(jì)的記者會(huì )上，該公司曾宣布將擴大3D Nand flash 的生產(chǎn)能力。

　　預計半導體業(yè)界排名世界第一的因特爾公司，將在設施投資方面投入比去年增長(cháng)25%的120億美元(約合13.92萬(wàn)億韓元)。因特爾去年在設施上的投資額也比前年增長(cháng)31%。因特爾從去年起實(shí)施了高強度的體質(zhì)改善工作，并致力于用于服務(wù)器的半導體等新領(lǐng)域。因特爾在半導體研發(fā)部門(mén)投入了127.5億美元，規模是三星電子(約28.8億美元)的四倍還要多。