Onsemi推出新一代碳化硅半導體

美國半導體制造商O(píng)nsemi推出了最新一代碳化硅技術(shù)平臺，用于電動(dòng)汽車(chē)和其他應用。與前幾代相比，該平臺可減少30%的導通損耗和高達50%的關(guān)斷損耗。

據Onsemi稱(chēng)，所謂的EliteSiC M3e MOSFETs還提供了業(yè)界最低的特定導通電阻，并具有短路能力，這對牽引逆變器市場(chǎng)至關(guān)重要。在電動(dòng)汽車(chē)中，逆變器將電池的直流電轉換為電動(dòng)機所需的交流電。轉換損耗和冷卻需求越低，車(chē)輛在相同電池容量下的續航里程就越大。

具體示例：封裝在Onsemi的功率模塊中，“1200V M3e芯片比以前的EliteSiC技術(shù)提供了大幅度更多的相電流，”這應當使同一牽引逆變器外殼中的輸出功率提高20%。Onsemi還聲稱(chēng)，現在可以設計固定功率級，使用約20%更少的碳化硅含量，從而節省成本，并開(kāi)發(fā)出更小、更輕、更可靠的系統。

據該公司稱(chēng)，新的碳化硅一代還將實(shí)現“下一代電氣系統的性能和可靠性，以更低的每千瓦成本，從而影響電氣化倡議的采用和效果?！痹撈脚_能夠在更高的開(kāi)關(guān)頻率和電壓下運行，同時(shí)將功率轉換損耗降至最低，適用于廣泛的汽車(chē)和工業(yè)應用?！皬V泛的汽車(chē)和工業(yè)應用”。除了電動(dòng)驅動(dòng)，這些還包括直流快速充電器、太陽(yáng)能逆變器和能源存儲解決方案。它還可以用于提高數據中心的效率。

“電氣化的未來(lái)依賴(lài)于先進(jìn)的功率半導體。沒(méi)有在功率方面的重大創(chuàng )新，今天的基礎設施無(wú)法跟上世界對更多智能和電氣化移動(dòng)性的需求。這對于實(shí)現全球電氣化和遏制氣候變化的能力至關(guān)重要，”Onsemi電源解決方案集團總裁Simon Keeton說(shuō)?！拔覀冋谠O定創(chuàng )新的步伐，計劃到2030年大幅提高我們碳化硅技術(shù)路線(xiàn)圖中的功率密度，以滿(mǎn)足日益增長(cháng)的能源需求，并推動(dòng)全球向電氣化轉型?！?/p>

Onsemi計劃在2030年前加速推出多個(gè)未來(lái)的碳化硅產(chǎn)品系列。這家美國半導體制造商還在捷克共和國投資建設了一座歐洲碳化硅半導體工廠(chǎng)。Onsemi的客戶(hù)包括眾多電動(dòng)汽車(chē)制造商（如大眾、寶馬、現代-起亞和Zeekr）以及動(dòng)力總成供應商Vitesco。