芯芯向榮or芯芯向戎 中國晶圓制造業(yè)發(fā)展情況解讀

　　六、“兩頭在外”的困境如何破局

　　01專(zhuān)項總體專(zhuān)家組組長(cháng)多個(gè)場(chǎng)合表示，國家為什么要頒布推進(jìn)綱要?首先是滿(mǎn)足國家的戰略需求。國家戰略發(fā)展中所依靠的一些核心的芯片，我們基本上都依賴(lài)國外。其次，解決產(chǎn)業(yè)發(fā)展“兩頭在外”的現象。也就是說(shuō)，我們的設計企業(yè)，加工在外;制造企業(yè)，設計在外。

　　那么問(wèn)題來(lái)了?核心的芯片就是CPU、內存芯片、高速高精度AD/DA芯片、高端FPGA芯片和IGBT等。這些不是簡(jiǎn)單建幾個(gè)FAB就可以生產(chǎn)，這些都需要更先進(jìn)的工藝技術(shù)。

　　為了破局“兩頭在外”的困境，我們必須有更先進(jìn)的工藝來(lái)支撐。

　　目前中芯國際和華力微的28nm工藝都于2015年下半年成功試產(chǎn)，還處在小規模量產(chǎn)階段，還只是28nm Poly。而28nm HKMG僅僅只是試制成功，離量產(chǎn)應該還有一段路要走。

　　中芯國際12寸晶圓代工工藝主要是65/55nm、45/40nm兩大工藝節點(diǎn)，合計占公司總營(yíng)收43%，公司CEO邱慈云表示28nm的營(yíng)收在2017年將占公司總營(yíng)收的7-9%。

　　中芯國際將跳過(guò)20nm制程，直接進(jìn)入14nm FinFET工藝制程，這將對中芯國際是一個(gè)巨大的考驗。FinFET和Bulk CMOS工藝是完全不同的，Bulk CMOS是平面工藝，FinFET是立體工藝。

　　華力微在攻關(guān)28nm、14nm工藝的同時(shí)，也在評估FD-SOI技術(shù)，希望憑借其低成本優(yōu)勢和FinFET技術(shù)展開(kāi)競爭。

　　其時(shí)在SOI方面國內已經(jīng)進(jìn)行了布局。材料方面，2015年上海新傲科技已開(kāi)始生產(chǎn)SOI工藝的200毫米晶圓，引入的是法國Soitec公司獨有的Smart Cut技術(shù)。

　　有工藝專(zhuān)家表示，雖然SOI工藝錯過(guò)成為主流技術(shù)的機會(huì )，無(wú)法與FinFET爭奪主流地位，也不會(huì )取代FinFET。但可以進(jìn)行差異化競爭，不和FinFET拼性能，但可以在合適的領(lǐng)域拼性?xún)r(jià)比，比如RF、嵌入式MARM、低功耗。

　　所以華力微未來(lái)上馬FD-SOI工藝技術(shù)，不失為一條捷徑。

　　七、小結

　　1、中國是需要建FAB，但是我們的設備材料產(chǎn)業(yè)要跟上，我們不能依靠美歐日的設備材料公司提供，一旦有情況發(fā)生，將出現巧婦難為無(wú)米之炊。讓人欣慰的是，在02重大專(zhuān)項支持下，我國的設備材料產(chǎn)業(yè)取得了喜人的進(jìn)步，刻蝕機、氧化機、薄膜、光刻、離子注入等設備成功替代國外廠(chǎng)商同類(lèi)產(chǎn)品，進(jìn)入中芯國際。同時(shí)隨著(zhù)國產(chǎn)設備大量投入使用，將使得我國芯片制造的設備采購成本降低。

　　2、在12寸及尖端先進(jìn)工藝方面，國家必須砸入重金進(jìn)行持續支持，FinFET和SOI同時(shí)攻關(guān)，緊跟國際先進(jìn)技術(shù)，不要妄想彎道超車(chē)，彎道超車(chē)稍有不慎就會(huì )車(chē)毀人亡。我們只要跟住對手，不要再次拉大差距，迫使對手忙中出錯，直線(xiàn)超車(chē)又快又安全。

　　3、加大人才培養力度。除了在大學(xué)進(jìn)行培養外，還應該在中芯國際、華力微、華虹宏力等公司加大梯隊人才培養，要讓中芯國際、華力微、華虹宏力成為我國晶圓制造業(yè)的黃埔軍校。只要黃埔軍校真正發(fā)揮作用，中國的晶圓制造的運營(yíng)團隊就不再需要花費3倍高價(jià)去臺灣、美國等地區挖人了。

　　4、中央政府對晶圓制造要有合理的布局，同時(shí)對地方政府的不規范行為應該進(jìn)行遏制。地方政府不能給予外資晶圓制造以超國民待遇，以免與內資企業(yè)造成不公平競爭環(huán)境。