特朗普科技稅收新政助力 Intel發(fā)力芯片代工與臺積電“搶飯碗”

競爭對手已采取行動(dòng)

　　多年以來(lái)，Intel都一直認為，相較于主要競爭對手臺積電，自己現有的14納米的芯片制造工藝和即將面世的10納米工藝更具優(yōu)勢，所生產(chǎn)的芯片密度也會(huì )更高。Intel解釋說(shuō)，密度更高的芯片可以降低單個(gè)晶體管的成本，相比較而言，這種高密度生產(chǎn)技術(shù)產(chǎn)出的芯片，在同類(lèi)產(chǎn)品中可以稱(chēng)得上是密度價(jià)格比最高的了。

　　事實(shí)上，Intel今年早些時(shí)候就聲稱(chēng)，雖然同樣都是10納米制造工藝，但其在邏輯密度上的優(yōu)勢比對手足足領(lǐng)先一代。

　　Intel的這一說(shuō)法的確可信，事實(shí)也已經(jīng)表明他們的10納米工藝所生產(chǎn)出來(lái)的芯片在尺寸上要比競爭對手小得多。然而，Intel貌似忽略了其真正的競爭對手并非臺積電的10納米工藝，而是其最新的7納米工藝。

　　不湊巧的是，臺積電最近剛剛透露了一條關(guān)于7納米生產(chǎn)工藝的關(guān)鍵技術(shù)的消息，這也就基本證明了，Intel的產(chǎn)品在芯片密度這一指標上的優(yōu)勢已不復存在。

臺積電的7納米SRAM單元

　　通常對比相同密度芯片、不同生產(chǎn)工藝的有效方法就是建立起一個(gè)相同的結構——比如，相同的SRAM(靜態(tài)隨機存儲器)。據Intel披露，其使用14納米所生產(chǎn)的高密度SRAM單元的尺寸只有0.0499平方微米，這顯然優(yōu)于臺積電20納米或16納米的制造技術(shù)。

　　然而，最近臺積電又公布了其7納米工藝所生產(chǎn)的高密度SRAM單元的尺寸已經(jīng)縮小到只有0.027平方微米了——只相當于Intel的一半。而Intel如果想要重新奪回其在這方面的領(lǐng)先優(yōu)勢，就必須要把它的高密度SRAM單元至少縮減54.1%。

　　Intel的10納米工藝與臺積電7納米工藝對比

　　比較了Intel連續幾代的高密度SRAM單元就會(huì )發(fā)現，每一代產(chǎn)品尺寸的比例系數相較于上一代基本都維持在0.54左右。

　　Intel的45納米高密度SRAM單元的確非常粗糙，但到了32納米階段，就有很大幅度的改善。而當發(fā)展到22納米和14納米時(shí)，高密度SRAM單元的尺寸依舊在縮小，只不過(guò)縮小的比例都小于0.5，和上一代相比降幅沒(méi)有那么大而已。

　　但只要Intel可以將這一發(fā)展勢頭保持下去，那么它10納米工藝所生產(chǎn)出來(lái)的高密度SRAM單元就可以與臺積電的7納米工藝相抗衡。

　　當然，只是這一次Intel不能再宣稱(chēng)其“領(lǐng)先一代”的說(shuō)法了。

Intel的新處境

　　由于14納米和10納米工藝的研發(fā)滯后，Intel已經(jīng)喪失了曾領(lǐng)先兩年的優(yōu)勢地位，落到了與三星、臺積電齊頭并進(jìn)的境地。更糟的是，Intel仍沒(méi)有找到重返領(lǐng)先地位的正確姿勢。。

　　與此同時(shí)，臺積電則正竭盡全力要在芯片密度這一指標上追上Intel，就公開(kāi)消息判斷，他們計劃每?jì)赡昃鸵獙λ麄冃酒某叽邕M(jìn)行進(jìn)一步縮小。

　　臺積電意欲發(fā)力7納米制程工藝，以擊敗三星和Intel，并將在2017年上半年試投產(chǎn)

　　而Intel的前景就不太樂(lè )觀(guān)了，據稱(chēng)他們準備將10納米的工藝一直沿用三代，不過(guò)每一代的晶體管的性能都將得到提升，但即便如此Intel也已經(jīng)很難在芯片尺寸這一指標上趕上臺積電了。

　　從商業(yè)的角度來(lái)講，芯片喪失在尺寸上的優(yōu)勢對于Intel來(lái)講打擊最大的就是潛在客戶(hù)的流失。Intel計劃在移動(dòng)設備和網(wǎng)絡(luò )基礎設施兩個(gè)領(lǐng)域發(fā)力，如果他們的晶體管表現的和曾經(jīng)的芯片一樣具有優(yōu)勢的話(huà)，那么就仍會(huì )對客戶(hù)具有吸引力。