延續摩爾定律: 新型超平面錫氧半導體材料有望讓芯片提速百倍

　　近年來(lái)，半導體行業(yè)總是籠罩在摩爾定律難以為繼的陰霾之下，但是新材料的出現，或可讓它迎來(lái)又一個(gè)拐點(diǎn)。美國猶他州大學(xué)的工程師們，已經(jīng)發(fā)現了一種由一氧化錫制成、只有單原子厚度的新型平面材料。這種材料可讓電荷以更快的速度通過(guò)，遠勝硅與其它3D材料。相比之下，在傳統電子設備上，電荷會(huì )以各個(gè)方向穿過(guò)晶體管、以及玻璃襯底上其它由硅層組成的部件。

　　采用錫氧材料打造的更快的半導體器件

　　直到近年，工程師們才更多地將目光放到了諸如石墨烯(graphene)、二硫化鉬(molybdenumdisulfide)、硼墨烯(borophene)等2D材料上。

　　領(lǐng)導這項研究的AshutoshTiwari教授稱(chēng)其強制電子“僅在單層上以快得多的速度通過(guò)”，是加快填補電子新材料缺口的一個(gè)重要組成部分。

　　與石墨烯和其它近似原子厚度的材料不同，其同時(shí)允許負電子和正正電荷穿過(guò)，因此研究團隊將之描述為“現有首種穩定P型2D半導體材料”。

　　我們現在已經(jīng)擁有了一切，事物將會(huì )以快得多的速度推進(jìn)。

　　團隊認為這種材料可用于制造比當前所使用的更小、更快的晶體管，讓計算機和移動(dòng)設備的運行速度提升百倍，同時(shí)溫度更低、效率更高，并且延長(cháng)電池的續航。

　　當前該領(lǐng)域異?；馃?，人們對它深感興趣。有鑒于此，我們有望在2到3年內看到一些原型設備。

　　這項研究已經(jīng)發(fā)表于本周出版的《先進(jìn)電子材料》(AdvancedElectronicMaterials)期刊上。