基于UCC27321高速MOSFET驅動(dòng)芯片的功能與應用

1　引言

　　隨著(zhù)電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種新型的驅動(dòng)芯片層出不窮，為驅動(dòng)電路的設計提供了更多的選擇和設計思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅動(dòng)電路愈來(lái)愈簡(jiǎn)潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321就是一種外圍電路簡(jiǎn)單，高效，快速的驅動(dòng)芯片。


2　UCC27321的功能和特點(diǎn)

　　TI公司推出的新的MOSFET驅動(dòng)芯片能輸出9A的峰值電流，能夠快速地驅動(dòng)MOSFET開(kāi)關(guān)管，在10nF的負載下，其上升時(shí)間和下降時(shí)間的典型值僅為20ns。工作電源為4―15V。工作溫度范圍為-40℃―105℃。圖1給出了芯片的內部原理圖，表1為輸入、輸出邏輯表。表2為各個(gè)引腳的功能介紹。

　　UCC27321的ENBL是給設計者預留的引腳端，為高電平有效（見(jiàn)表1）。在標準工業(yè)應用中，ENBL端經(jīng)100K的上拉電阻接至高電平。一般正常工作時(shí)可以懸空。為求可靠，也可將其接至輸入電源高電平，低電平時(shí)芯片不工作。通過(guò)對ENBL的精心設置可以設計出可靠的保護電路。

　　UCC27321的輸出端采用了獨特的雙極性晶體管圖騰柱和雙MOSFET圖騰柱的并聯(lián)結構，能在幾百納秒的時(shí)間內提供高達9A的峰值電流并使得有效電流源能在低電壓下正常工作。

　　當輸出電壓小于雙極性晶體管的飽和壓降時(shí)，其輸出阻抗為MOSFET的Ron。當驅動(dòng)電壓過(guò)低或過(guò)沖時(shí)，輸出級MOSFET的體二極管提供了一個(gè)小的阻抗。這就使得在絕大多數情況下，無(wú)須在輸出腳6、7與地之間額外地增加一個(gè)肖特基二極管。

　　UCC27321在MOSFET的彌勒高原效應轉換期間能獲得9A的峰值電流。UCC27321內部獨特的輸出結構使得放電能力比充電能力要強的多。充電時(shí)電流流經(jīng)P溝道MOS，放電時(shí)電流流經(jīng)N溝道MOS，這就使得這種芯片的驅動(dòng)關(guān)斷能力要比其導通能力強，對防止MOSFET的誤導通是很有利的。

3　功率MOSFET驅動(dòng)電路的一般要求和最佳驅動(dòng)特性：

　　A、MOSFET管工作在高頻時(shí)，必須注意以下兩點(diǎn)[1]：

　?、俦M可能減少MOSFET各端點(diǎn)的連接線(xiàn)長(cháng)度，特別是柵極引線(xiàn)。若不行，可在靠近柵極處串聯(lián)一小電阻以便抑制寄生振蕩。（如圖2）

　?、谟捎贛OSFET的輸入阻抗高，驅動(dòng)電源的輸出阻抗必須比較低，以避免正反饋引起的振蕩。特別是MOSFET的直流輸入阻抗非常高，而它的交流輸入阻抗是隨頻率而改變的，因此MOSFET的驅動(dòng)波形的上升和下降時(shí)間與驅動(dòng)脈沖發(fā)生器的阻抗有關(guān)。


圖2工作在共源極的電路圖

　　B、MOSFET的最佳驅動(dòng)特性應具有：

　?、俟β使荛_(kāi)通時(shí)，驅動(dòng)電路提供的柵極電壓應有快速的上升沿，并一開(kāi)始有一定的過(guò)沖，以加速開(kāi)通過(guò)程。

　?、诠β使軐ㄆ陂g，應能在任何負載情況下都能保證功率管處于導通狀態(tài)，且使功率管Vds在管子導通的前提下壓降較低，以保證低的導通損耗。

　?、坳P(guān)斷瞬時(shí)，驅動(dòng)電路應提供足夠的反壓，使漏極電流迅速下降，加速關(guān)斷過(guò)程。（圖3為最佳柵極驅動(dòng)電壓波形）

圖3 最佳柵極驅動(dòng)電壓波形
4　UCC27321使用注意事項

　?、烹娐凡季稚系目紤][2，3]：

　　UCC27321的最大輸入電流為500mA，輸入信號可以由PWM控制芯片或邏輯門(mén)產(chǎn)生。我們不需要對輸入信號進(jìn)行整形而刻意減小驅動(dòng)速度。若想限制其驅動(dòng)速度，可在其輸出端與負載間串一個(gè)電阻，有助于吸收驅動(dòng)芯片的損耗。
　　
　　驅動(dòng)芯品的低阻抗和高di/dt,都會(huì )帶來(lái)寄生電感和寄生電容產(chǎn)生的振鈴。為盡可能消除這些不良影響，我們在電路布局上應加以注意：
　
　　總的來(lái)說(shuō)，驅動(dòng)電路應盡可能的靠近負載。在UCC27321的輸出側VDD和地之間跨接一個(gè)1uF的低ESR電容以濾除電源高頻分量。將PIN1和PIN8、PIN4和PIN5相連；輸出端PIN6和PIN7相連后接至負載。

　　PGND、AGND之間，兩個(gè)VDD引腳之間都存在一個(gè)較小的阻抗。為了使輸入、輸出電源和地之間進(jìn)行解耦，同時(shí)利用上述特征，可在5腳和8腳之間跨接一個(gè)1uF的低ESR電容（有助于獲得大的驅動(dòng)電流），在1腳和4腳之間跨接一個(gè)0.1uF的陶瓷電容以降低輸出阻抗。若想獲得進(jìn)一步的解耦，可在PIN1和PIN8之間串一小磁環(huán)以消除電流振蕩；在PIN4和PIN5之間加一對反并聯(lián)二極管，實(shí)現PGND和AGND之間的解耦。

　　由于在MOSFET開(kāi)通時(shí)UCC27321能提供很大的充電電流，根據公式,可知驅動(dòng)電壓在開(kāi)通時(shí)有很高的電壓尖峰。為防止柵源電壓過(guò)高，MOSFET被擊穿，可在輸出端與地之間并一個(gè)18V的穩壓管。

　?、乞寗?dòng)電流和功率要求[4，5]

　　在MOSFET開(kāi)通時(shí)UCC27321能提供幾百納秒的9A峰值電流，使其迅速開(kāi)通；為求迅速關(guān)斷，驅動(dòng)芯片應能對地提供同樣高的放電電流。由于功率MOSFET為容性負載，開(kāi)通時(shí)MOSFET柵極電壓偏置為Vg，則給電容的充電能量可簡(jiǎn)單地看作為：
　Ciss為MOSFET輸入電容，Vg為柵極偏置電壓。