Spansion擴展與臺積電合作 將量產(chǎn)90nm閃存

　　 7月25日消息，閃存解決方案供應商Spansion公司昨日宣布擴充與代工廠(chǎng)臺積電簽署的代工，增加采用300mm晶圓的90nm MirrorBit技術(shù)。兩家公司同意，在現有服務(wù)協(xié)議基礎上，即為Spansion的110nm技術(shù)提供代工生產(chǎn)，增加了90nm的生產(chǎn)能力。臺積電從2006年第二季度開(kāi)始生產(chǎn)采用110nm技術(shù)的閃存晶圓。90nm技術(shù)的目標量產(chǎn)時(shí)間為2007年下半年。 

  　Spansion MirrorBit閃存能夠利用一個(gè)基于氮化物的存儲器件，在一個(gè)單元中存儲兩個(gè)獨立的電荷。與浮動(dòng)門(mén)NOR技術(shù)相比，該技術(shù)可以提供一個(gè)更加簡(jiǎn)便的內存單元，其所需要的關(guān)鍵制造步驟也少得多。與傳統的浮動(dòng)門(mén)技術(shù)相比，MirrorBit技術(shù)可以提供更高的產(chǎn)量，并可以更加方便地擴展到更高的容量。

　　根據擴充后的協(xié)議，臺積電將逐步把Spansion的90nm制程技術(shù)引入其專(zhuān)門(mén)為Spansion產(chǎn)品開(kāi)設的生產(chǎn)線(xiàn)。

　　同時(shí)Spansion位于得克薩斯州奧斯丁的旗艦工廠(chǎng)Fab 25的90nm MirrorBit產(chǎn)能將于2007年過(guò)渡到65nm技術(shù)；位于日本會(huì )津若松的Spansion JV3生產(chǎn)基地的110nm產(chǎn)能；預計將于2008年中期，在日本會(huì )津若松新落成的SP1生產(chǎn)基地投產(chǎn)采用了300mm晶圓的45nm產(chǎn)能。該基地還可以根據市場(chǎng)的需求在2007年開(kāi)始量產(chǎn)65nm技術(shù)產(chǎn)品。

　　Spansion(NASDAQ:SPSN)為閃存解決方案供應商，致力于為無(wú)線(xiàn)、汽車(chē)、網(wǎng)絡(luò )和消費電子市場(chǎng)提供數字內容的支持、存儲和保護。其前身是一家由AMD和富士通合資的公司。它是全球最大的專(zhuān)門(mén)致力于開(kāi)發(fā)、設計和生產(chǎn)閃存產(chǎn)品及系統的公司。