臺積電工藝加速 16nm工藝年內試產(chǎn)

　　隨著(zhù)移動(dòng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，業(yè)界對更高的半導體制程的需求再度進(jìn)入了一個(gè)高速發(fā)展的階段。作為全球半導體代工市場(chǎng)的老大，臺積電的工藝發(fā)展情況關(guān)系到眾多合作廠(chǎng)商的產(chǎn)品，因此臺積電的一舉一動(dòng)也頗受關(guān)注。日前，臺積電宣布已經(jīng)決定將16nmFinFET工藝的試產(chǎn)時(shí)間從2014年提前到2013年底，并且希望能在2015年底用極紫外光刻技術(shù)制造10nm的芯片。

　　在年初舉行的半導體大會(huì )上，臺積電就展示了其FinFET工藝晶圓，不過(guò)當時(shí)臺積電并沒(méi)有透露FinFET工藝計劃將提前。

　　臺積電首席技術(shù)官孫元成(JackSun)表示：“我們對16nmFinFET工藝在明年的黃金時(shí)代(量產(chǎn))充滿(mǎn)信心。”他還披露，16nm目前正在使用128MbSRAM進(jìn)行測試，核心電壓0.8V，I/O電壓1.8V，良品率“超出預期”。標準單元、內存單元等基礎性IP都已經(jīng)做好了準備，但是關(guān)鍵內部模塊的測試要到6月份才會(huì )開(kāi)始。

　　據悉，64-bitARMv8核心在16nm工藝上的性能將比28nm32-bitARMA9高出多達90%，而相比之下20nmA15核心只能提速大約40%。

　　未來(lái)一段時(shí)間，半導體代工行業(yè)的升級競賽將在三星、臺積電以及GF之間上演，究竟誰(shuí)能夠更早的拿出20nm甚至16nm技術(shù)將關(guān)系到整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)的前進(jìn)步伐。