力晶與瑞薩合作90納米驅動(dòng)芯片量產(chǎn)

　　內存廠(chǎng)商力晶受到標準型DRAM占營(yíng)收比重不斷降低影響，11月?tīng)I收20.26億元，創(chuàng )下2009年7月以來(lái)新低。盡管營(yíng)收表現不佳，不過(guò)力晶正式宣布，宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅動(dòng)芯片高壓制程進(jìn)入量產(chǎn)，持續朝轉型之路邁進(jìn)。

　　力晶日前宣布淡出PC DRAM產(chǎn)業(yè)之后，積極邁開(kāi)業(yè)務(wù)轉型步伐，該公司發(fā)言人譚仲民指出，代工事業(yè)的制程技術(shù)獲得重大進(jìn)展，與瑞薩電子旗下之子公司Renesas SP Drivers Inc.合作的90納米驅動(dòng)芯片高壓制程，已開(kāi)發(fā)成功并進(jìn)入量產(chǎn)，此技術(shù)承接原瑞薩電子之制程技術(shù)，將廣泛應用于行動(dòng)裝置的液晶面版驅動(dòng)芯片上面。

　　力晶是國內第一家采用12吋廠(chǎng)量產(chǎn)90納米驅動(dòng)芯片的半導體公司，并采用材料成本較低的鋁制程。透過(guò)新一代90納米制程技術(shù)，力晶所生產(chǎn)的驅動(dòng)芯片，可配置于鋁制程中的最小靜態(tài)隨機存取內存，在相同的芯片面積下，較目前主流的130納米制程內嵌內存容量可增為兩倍，未來(lái)隨著(zhù)智能型手機屏幕尺寸變大、分辨率提升的市場(chǎng)趨勢，終端客戶(hù)可在充分有效控制成本的情況下，提供給更高階的智能型手機使用。

　　譚仲民表示，Renesas SP Drivers Inc.一直是驅動(dòng)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的先驅?zhuān)乱淮募夹g(shù)更配合環(huán)保省電的要求，采用低電壓運作的設計，再加上制程技術(shù)與內存領(lǐng)域的面積微縮技術(shù)，可以進(jìn)一步達到內存容量倍增及低耗電量的優(yōu)勢。

　　譚仲民強調，公司12吋廠(chǎng)90納米驅動(dòng)芯片技術(shù)，適合搭載大容量?jì)却娴母唠A智能型手機，將可望帶動(dòng)該公司轉型晶圓代工的業(yè)務(wù)增長(cháng)。

　　鑒于DRAM市場(chǎng)持續低迷，譚仲民指出，該公司已加大業(yè)務(wù)轉型的力度，進(jìn)一步減少標準型DRAM的投片量，有效降低該項產(chǎn)品所造成現金流失，同時(shí)也將使DRAM在力晶的產(chǎn)銷(xiāo)比重顯著(zhù)減少;至于晶圓代工部門(mén)持續投入研發(fā)，隨著(zhù)代工業(yè)務(wù)的成長(cháng)，將改善財務(wù)、營(yíng)運體質(zhì)。

　　另外，受到標準型內存跌價(jià)與營(yíng)收貢獻度持續減少下，力晶11月?tīng)I收20.26億元，創(chuàng )下2009年7月以來(lái)新低紀錄，較上月減少5.8%，較去年同期亦衰退47.77%，累計前11月?tīng)I收為356.32億元，年減53.89%。