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華虹半導體第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺成功量產(chǎn)

華虹半導體有限公司宣布其第三代90 納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺已成功實(shí)現量產(chǎn)。
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華虹半導體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺成功量產(chǎn)

　　全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠(chǎng)——華虹半導體有限公司 (“華虹半導體”或“公司”，連同其附屬公司，統稱(chēng)“集團”，股份代號：1347.HK) 今天宣布其第二代90納米嵌入式閃存 (90nm G2 eFlash) 工藝平臺已成功實(shí)現量產(chǎn)，技術(shù)實(shí)力和競爭力再度加強?！　∪A虹半導體在第一代90納米嵌入式閃存 (90nm G1 eFlash) 工藝技術(shù)積累的基礎上，于90nm G2 eFla
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華虹半導體90納米嵌入式閃存工藝平臺成功量產(chǎn)

　　全球領(lǐng)先的200mm純晶圓代工廠(chǎng)——華虹半導體有限公司3月6日宣布公司90納米嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺已成功實(shí)現量產(chǎn)，基于該平臺制造的芯片以其尺寸小、功耗低、性能高的特點(diǎn)，具有很強的市場(chǎng)競爭優(yōu)勢。　　華虹半導體自主研發(fā)的90納米低功耗(LP)嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺，是國內最先進(jìn)的200mm晶圓嵌入式存儲器技術(shù)，可與標準邏輯工藝完全兼容;在確保高性能和高可靠性的基礎上，提供了極小面積的低功耗Flash IP;具有極高集成度的基本單元庫，與0.11微米eF
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中國半導體已到從量變走向質(zhì)變的臨界點(diǎn)

中國半導體量變了這么多年了，始終沒(méi)看到質(zhì)的進(jìn)步?；蛟S業(yè)內人士說(shuō)，我們跟人家差的太遠了，我們始終在追趕的路上，抬頭發(fā)現別人早已加速。但是我們并沒(méi)有放棄，依然在充滿(mǎn)荊棘的路上努力前行。量變引起質(zhì)變的臨界點(diǎn)來(lái)了嗎？
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力晶與瑞薩合作90納米驅動(dòng)芯片量產(chǎn)

　　內存廠(chǎng)商力晶受到標準型DRAM占營(yíng)收比重不斷降低影響，11月?tīng)I收20.26億元，創(chuàng )下2009年7月以來(lái)新低。盡管營(yíng)收表現不佳，不過(guò)力晶正式宣布，宣布與日本瑞薩合作之90納米LCD驅動(dòng)芯片高壓制程進(jìn)入量產(chǎn)，持續朝轉型之路邁進(jìn)。　　力晶日前宣布淡出PC DRAM產(chǎn)業(yè)之后，積極邁開(kāi)業(yè)務(wù)轉型步伐，該公司發(fā)言人譚仲民指出，代工事業(yè)的制程技術(shù)獲得重大進(jìn)展，與瑞薩電子旗下之子公司Renesas SP Drivers Inc.合作的90納米驅動(dòng)芯片高壓制程，已開(kāi)發(fā)成功并進(jìn)入量產(chǎn)，此技術(shù)承接原瑞薩電子之制程技術(shù)，將
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全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90納米快閃存儲器技術(shù)

　　全球晶圓(Global Foundries)除了在28納米制程上，宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構的芯片外，同時(shí)也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米快閃存儲器技術(shù)，進(jìn)一步強化合作關(guān)系。　　全球晶圓與ARM在2009年第3季宣布策略合作計畫(huà)，就是看好未來(lái)廣大的行動(dòng)運算市場(chǎng)。而就在全球晶圓與ARM攜手后，臺積電也于2010年宣布與ARM，合作開(kāi)發(fā)28納米及20納米制程嵌入式存儲器及標準元件庫在內的實(shí)體智財產(chǎn)品。　　因
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iSuppli高級分析師：中芯國際真正盈利可期

　　中芯國際10日晚間發(fā)布的財報顯示，第二季度中芯國際營(yíng)收3.81億美元，同比增加42.5%，凈利潤9600萬(wàn)美元，成功扭虧為盈，上一季度該公司虧損1.81億美元。　　咨詢(xún)公司iSuppli高級分析師顧文軍認為中芯國際第二季度財報有三大亮點(diǎn)，中芯國際真正意義上的盈利盡在眼前。　　顧文軍對新浪科技表示，本季度中芯國際財報主要有三個(gè)亮點(diǎn)：　　第一：毛利率持續走高盈利盡在眼前。在財報中，中芯國際由第一季度虧損1.81億美元到本季度的“凈利潤9600萬(wàn)美元，成功扭虧為盈”，當
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英特爾：大連芯片廠(chǎng)10月按時(shí)投產(chǎn)

　　從現在開(kāi)始可以倒計時(shí)了，距離英特爾大連芯片廠(chǎng)還有100天左右的時(shí)間。　　日前，英特爾亮相2010中國(大連)國際專(zhuān)利技術(shù)與產(chǎn)品交易會(huì )。通過(guò)展示創(chuàng )立42年來(lái)在技術(shù)創(chuàng )新和專(zhuān)利領(lǐng)域的重要成果，分享創(chuàng )新和知識產(chǎn)權管理的成功理念與經(jīng)驗，英特爾致力于推動(dòng)中國自主創(chuàng )新的步伐與健康產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境的建設。　　在會(huì )議期間，CNET科技資訊網(wǎng)記者了解到，英特爾大連芯片廠(chǎng)正在有條不紊地為10月份正式投產(chǎn)做準備。　　據悉，現在英特爾大連芯片廠(chǎng)已有員工1500余人，其中包括近300人的外籍專(zhuān)家，這些專(zhuān)家將在工廠(chǎng)運營(yíng)初期
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飛思卡爾90納米ColdFire+混合信號微控制器解決方案加快設計創(chuàng )新

　　飛思卡爾半導體日前發(fā)布了40款新的ColdFire+ (plus)器件，將其久經(jīng)考驗的ColdFire產(chǎn)品線(xiàn)提升到一個(gè)新的高度，鞏固了該公司在32位微控制器 (MCU) 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。通過(guò)采用90納米 (nm) 薄膜存儲器 (TFS) 閃存技術(shù)以及 FlexMemory技術(shù)，ColdFire+ MCU致力于成為市場(chǎng)上集成程度最高、最經(jīng)濟高效和小封裝的32位MCU。　　ColdFire+ MCU依托飛思卡爾在32位微控制器方面的既有優(yōu)勢，代表了ColdFire演進(jìn)的下一步。新的ColdFire
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臺積電09年Q4的銷(xiāo)售額和利潤均持續增長(cháng)

　　證交所重大訊息公告　　臺積電-本公司2009年第四季每股盈余新臺幣1.26元　　1.召開(kāi)法人說(shuō)明會(huì )日期:99/01/28 　　2.召開(kāi)法人說(shuō)明會(huì )地點(diǎn):遠東國際大飯店叁樓遠東宴會(huì )廳　　(臺北市敦化南路二段201號) 　　3.財務(wù)、業(yè)務(wù)相關(guān)資訊: 　　本公司今(28)日公布2009年第四季財務(wù)報告，合并營(yíng)收為新臺幣920.9億元，稅后純益為新臺幣326.7億元，每股盈余為新臺幣1.26元(換算成美國存託憑證每單位為0.19美元)。　　與2008年同期相較，2009年第四季營(yíng)收增加42
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張忠謀：臺積電2年內可望在大陸設12英寸晶圓廠(chǎng)

　　美商高盛證券22日舉行“兩岸科技CEO論壇”，聚焦兩岸開(kāi)放帶來(lái)的機會(huì )，臺積電董事長(cháng)張忠謀一早針對兩岸半導體政策與產(chǎn)業(yè)未來(lái)進(jìn)行演講，據與會(huì )廠(chǎng)商轉述，張忠謀認為2年內12吋晶圓廠(chǎng)可望開(kāi)放登陸;張忠謀并上調半導體今年增長(cháng)率至22%。　　高盛證券8年后再度回臺舉辦論壇，第一位邀請上臺演講的，就是臺灣市值最大的全球化企業(yè)臺積電董事長(cháng)張忠謀，會(huì )后針對臺灣半導體產(chǎn)業(yè)開(kāi)放政策，張忠謀表示臺灣政策仍有諸多限制，明確開(kāi)放才不會(huì )讓企業(yè)感到不確定，甚至偷偷摸摸地登陸。　　臺美半導體政策差距3-
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SEMI：中國半導體產(chǎn)出在未來(lái)十年內將翻倍

　　按SEMI近期的研究報告指出，中國力圖收窄IC在消耗及產(chǎn)出之間的鴻溝，預計在未來(lái)的十年內中國的半導體設備與材料市場(chǎng)將增加一倍。　　由假設的鴻溝數字出發(fā)，由于中央與地方政府都相應出臺了鼓勵政策，促進(jìn)在未來(lái)十年中設備及材料的采購會(huì )大幅增加。　　除此之外，隨著(zhù)中國的芯片制造與封裝測試設備的大量進(jìn)口也大大促進(jìn)了中國研發(fā)和工藝技術(shù)人材的需求迅速增加。　　自1997年中國半導體市場(chǎng)超過(guò)美國與日本之后，中國的政策制訂者開(kāi)始極力強調要縮小供需之間的鴻溝。在2008年中國消費了全球芯片的1/4，但是國內產(chǎn)出
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臺積電與清華大學(xué)合作65/90納米制程晶圓共乘

　　臺積電繼宣布明年調薪15%，強化人才誘因， 23日又宣布與北京清華大學(xué)合作，共同邀請在半導體領(lǐng)域表現杰出的清大校友，在2010年舉辦一系列半導體創(chuàng )新人才演講及座談會(huì )，并提供清大先進(jìn)65納米與90納米制程晶圓共乘服務(wù)，協(xié)助系統單芯片等技術(shù)的創(chuàng )新開(kāi)發(fā)。　　臺積電表示，將與清大共同邀請在半導體領(lǐng)域占有一席之地的重要領(lǐng)導人物，每季 2位返校分享全球及中國半導體業(yè)發(fā)展趨勢、前瞻技術(shù)概況、當前市場(chǎng)競爭樣貌及個(gè)人創(chuàng )業(yè)歷程，為學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界搭起雙向溝通橋梁，以承先啟后，同時(shí)對學(xué)校研究項目提出產(chǎn)業(yè)界建議。　　這項
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微捷碼加大對臺積電工藝的支持力度

　　芯片設計解決方案供應商微捷碼(Magma)設計自動(dòng)化有限公司日前宣布，Quartz™ DRC和Quartz LVS規則集現可應用于臺積電(TSMC)180納米工藝技術(shù)。通過(guò)這種支持力度的加大，設計師現在能夠從TSMC-Online(SM)網(wǎng)站下載到Quartz DRC和Quartz LVS的40納米、65納米、90納米、130納米和180納米規則集(rule decks)。　　“多年來(lái)，我們一直采用微捷碼的Quartz DRC和Quartz LVS進(jìn)行先進(jìn)工藝節點(diǎn)設計。我們
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中芯國際中期虧損擴大至2.77億美元

　　中芯國際公布截至09年6月30日止中期業(yè)績(jì)，錄得股東應占虧損2.77億美元，每股虧損0.01美元，不派中期息。　　該公司08年同期錄得虧損2.7億美元。　　特許與中芯國際誰(shuí)更幸運　　阿布扎比金主再次攪動(dòng)半導體業(yè)，繼上次拯救了AMD的財務(wù)困境后，此次又花重金收購新加坡特許半導體，并將兩者合并組成新的GF。此舉在全球代工業(yè)中產(chǎn)生極大的震蕩，非常明顯此舉既救了特許，同時(shí)又沖著(zhù)臺積電而來(lái)。　　處于全球代工第三及第四名的中芯國際與特許，如今兩者的地位發(fā)生了新的變化，好像特許又找了個(gè)“
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