芯片制程邁向28納米　封裝技術(shù)大戰再起

　　隨著(zhù)芯片制程逐漸微縮到28納米，在芯片密度更高及成本降低壓力下，銅柱凸塊(Copper Pillar Bump)技術(shù)正逐漸取代錫鉛凸塊，成為覆晶主流技術(shù)，封裝技術(shù)變革大戰再度開(kāi)打。由于一線(xiàn)封裝大廠(chǎng)包括艾克爾(Amkor)、日月光、星科金朋(STATS ChipPAC)、矽品等皆具備銅柱凸塊技術(shù)能力，業(yè)界預期2012年可望放量生產(chǎn)，并躍升技術(shù)主流。

　　芯片制程逐漸自40納米往28納米微縮，芯片體積變小，對空間、密度要求更高，加上成本壓力有增無(wú)減，促使芯片廠(chǎng)紛改采銅柱凸塊技術(shù)，封測相關(guān)業(yè)者表示，主要通訊芯片大廠(chǎng)如德儀(TI)、高通(Qualcomm)、邁威爾(Marvell)、博通(Broadcom)、英飛凌(Infineon)紛跟進(jìn)采用，目前主要封裝大廠(chǎng)皆具備銅柱凸塊技術(shù)能力，其中以艾克爾因與德儀合作OMAP4平臺，進(jìn)展腳步最快，其次為日月光、星科金朋和矽品。

　　事實(shí)上，以英特爾(Intel)為首的IC芯片制造業(yè)，已開(kāi)始在特定產(chǎn)品采用銅柱凸塊覆晶技術(shù)，初期主要用在PC相關(guān)芯片，然近期通訊芯片產(chǎn)品采用銅柱凸塊情況益趨增加，象是德儀基頻芯片平臺OMAP4便采用銅柱凸塊技術(shù)。封測業(yè)者表示，由于智能型手機講求短薄、功能多元及電力持久等特性，為預留較大電池空間，不僅需提高芯片密度，芯片厚度亦必須變薄，使得銅柱凸塊成為較佳的覆晶植球技術(shù)。

　　面對封裝技術(shù)演變，日月光在銅打線(xiàn)制程腳步相對領(lǐng)先，但在銅柱凸塊落后艾克爾，近期已開(kāi)始送樣認證，根據客戶(hù)產(chǎn)品藍圖規畫(huà)，隨著(zhù)28納米制程在2012年躍升主流，將推升銅柱凸塊需求大幅成長(cháng)。

　　對于以邏輯IC為主的封裝廠(chǎng)，覆晶植球技術(shù)自錫鉛凸塊轉為銅柱凸塊，封裝廠(chǎng)仍可沿用舊機臺，只需更換電鍍液即可，轉換成本不高，但對于以金凸塊為主的廠(chǎng)商，轉換技術(shù)可能較不易，以頎邦為例，由于金價(jià)高漲，降低成本不易，其雖擁有銅柱凸塊技術(shù)能力，但由于金凸塊和銅柱凸塊制程不同，必須投資新產(chǎn)線(xiàn)，以投資1萬(wàn)片12寸晶圓所需銅柱凸塊制程產(chǎn)線(xiàn)而言，全線(xiàn)資本支出恐達新臺幣10億~20億元，所費不貲。

　　在英特爾促使下，PC相關(guān)元件已率先采用銅柱凸塊，估計自2010~2016年銅柱凸塊市場(chǎng)復合成長(cháng)率為19.68%(研究機構Yole Developpement資料)，2012年銅柱凸塊技術(shù)將取代錫鉛凸塊躍升技術(shù)主流，預期到2016年將有一半覆晶植球晶圓采用銅柱凸塊技術(shù)。