評論：日本震后晶圓代工的發(fā)展之路

　　日震對于全球半導體產(chǎn)業(yè)的影響仍在余波蕩漾。今年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將會(huì )如何?未來(lái)2～3年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)的走向為何?日震對于全球半導體產(chǎn)業(yè)供應鏈的影響程度應該如何看待?曾經(jīng)在英特爾和中芯(SMIC)美國分公司長(cháng)期服務(wù)、對于全球半導體制造晶圓代工業(yè)界瞭解程度相當深厚的Gartner研究總監王端，便提出頗具參考價(jià)值的看法與分析。

　　王端指出，日本地震真正產(chǎn)生影響效應的是刺激市場(chǎng)產(chǎn)生供貨短缺的預期心理，使得半導體廠(chǎng)商為提高庫存水位而提高元件存貨需求，連帶地促使全球晶圓代工廠(chǎng)12寸晶圓供應量不斷拉高，日震對于主要晶圓代工廠(chǎng)本身并沒(méi)有產(chǎn)生直接影響。但由于石油價(jià)格處于高價(jià)位階段，加上日震后預期心理，使得消費者對于采購智慧型手機和媒體平板電腦繼續保持觀(guān)望態(tài)度，因此今年第2季之前，智慧型手機和平板裝置主要帶動(dòng)全球半導體產(chǎn)業(yè)成長(cháng)的兩大終端裝置，成長(cháng)將處于1～2%的低檔幅度。兩相正反因素抵銷(xiāo)之下，今年全球晶圓代工營(yíng)收仍將維持Gartner先前的預估幅度，亦即今年年成長(cháng)率仍有10.2%、全球總營(yíng)收為311.5億美元。

　　值得注意的是，各大晶圓代工廠(chǎng)不斷提高12寸晶圓供應，但消費電子市場(chǎng)采購半導體元件動(dòng)能趨緩，加上到2013年，全球主要晶圓代工廠(chǎng)都將投入從40奈米過(guò)渡到28奈米的激烈競爭行列，以率先提出低功耗、高效能、尺寸更加微型化的晶圓制程，來(lái)滿(mǎn)足微處理器和繪圖晶片等系統單晶片、在智慧型手機和媒體平板裝置內要求高度整合和擴充性的應用需求。因此晶圓代工大廠(chǎng)如何有效發(fā)揮40奈米和28奈米的產(chǎn)能利用率，已是晶圓代工大廠(chǎng)當前必須正視的課題。

　　王端指出，各大晶圓代工廠(chǎng)競相角逐28奈米制程，將使整體晶圓代工產(chǎn)能利用率面臨過(guò)渡階段的尷尬期，到2012年全球12寸晶圓將處于過(guò)剩狀態(tài)。預估今年全球12寸晶圓供應將過(guò)剩34%，明年則會(huì )有28%，臺積電12寸晶圓過(guò)剩供應將超出33%，聯(lián)電也有20%的過(guò)剩供應。晶圓過(guò)剩供應情況將繼續到2013年。但也因為晶圓代工大廠(chǎng)開(kāi)始啟動(dòng)從40奈米到28奈米的制程過(guò)渡計劃，因此到2013年，晶圓代工大廠(chǎng)平均產(chǎn)能利用率相對維持在80%左右的相對低檔。

　　王端進(jìn)一步指出，2012年28奈米制程將成為主流制程，但目前真正能夠進(jìn)入28奈米量產(chǎn)營(yíng)收階段的，只有臺積電，具體提出在今年第3季達到1%、第4季可達到2～3%的營(yíng)收目標。臺積電預估28奈米制程可從1%提升到10%營(yíng)收的時(shí)程，也只要4個(gè)季度，比起一般所需要的5個(gè)季度更短。因此王端認為，從產(chǎn)品、產(chǎn)能、制程技術(shù)、IP專(zhuān)利到客戶(hù)服務(wù)，臺積電仍將在幾年內穩坐全球晶圓代工龍頭、保持業(yè)界長(cháng)期規范的優(yōu)勢地位。

　　至于Global Foundries(GF)和三星電子與IBM透過(guò)IBM Common Platform，也在28奈米技術(shù)授權部份有密切的合作，GF已經(jīng)直接跳過(guò)32奈米直取28奈米制程，而三星電子則是32奈米和28奈米并重，不過(guò)目前GF和三星電子在28奈米都仍處于制程驗證合格階段，尚未達到產(chǎn)品驗證階段，仍落后臺積電大概有1～2個(gè)季度的時(shí)程。王端認為，今年年底前GF和三星電子能否提出28奈米晶圓制程具體的營(yíng)收目標，是相當重要的關(guān)鍵，決定這兩家能否在28奈米制程的激烈競賽中勝出。假使能勝出，28奈米階段全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)將呈現四雄并起的局面。但有別于臺積電或是GF廣泛地與更多的晶片制造商客戶(hù)合作的模式，三星電子將利用先進(jìn)制程技術(shù)與特定的半導體供應商進(jìn)行合作。

　　目前臺積電和GF都開(kāi)始進(jìn)行20奈米制程的研發(fā)作業(yè)，不過(guò)進(jìn)程最快的還是英特爾，預計在2012年可以完成產(chǎn)品驗證階段。但既有的矽晶圓制程技術(shù)將面臨效能撞墻的局限。王端表示10年之內這個(gè)問(wèn)題就會(huì )出現，不過(guò)包括3DIC、碳奈米和光導體等正在開(kāi)發(fā)的新技術(shù)，則有相對樂(lè )觀(guān)的空間和機會(huì )可以扮演繼往開(kāi)來(lái)的角色。