英特爾10nm設計規則初定 EUV技術(shù)恐錯失良機

　　針對10nm節點(diǎn)，英特爾希望在非關(guān)鍵層使用193nm浸入式技術(shù)，以及在更復雜和更精細的線(xiàn)切割步驟中使用EUV。“在這些步驟中，EUV是我們的首要選擇，”他說(shuō)。如果EUV尚未就緒，那么英特爾很可能會(huì )使用無(wú)光罩或193nm浸入式技術(shù)來(lái)處理線(xiàn)切割步驟。

　　英特爾也已大致確立了其10nm設計規則，它將是基于1D單向、柵格式的設計。但難題是：英特爾的10nm設計規則必須以EUV或是193nm浸入式方案其中一種為主，他表示。

　　EUV顯然趕不及英特爾的10nm節點(diǎn)設計規則定義時(shí)程了，他說(shuō)。據報導，英特爾已開(kāi)始制定基于193nm浸入式和多重曝光(multiple-patterning)的設計規則。

　　當EUV工具就緒，英特爾可能會(huì )回頭重新定義設計規則。因此，實(shí)際上EUV仍有可能用于10nm節點(diǎn)。但若工具沒(méi)有準備好，英特爾就必須尋求其他的選擇。該公司的10納米設計規則將正式在2013年第一季抵定。