三星拉大DRAM制程差距　臺廠(chǎng)須盡速導入40納米

　　臺灣國際半導體展(SEMICON Taiwan 2010)于8日正式開(kāi)幕，在半導體趨勢論壇中，摩根士丹利證券執行董事王安亞針對未來(lái)DRAM市場(chǎng)發(fā)出警語(yǔ)，認為未來(lái)2Gb產(chǎn)品將成為DRAM市場(chǎng)主流，且未來(lái)以40納米制程生產(chǎn)的2Gb將最具競爭力，臺系DRAM廠(chǎng)，包括南亞科、華亞科等，必須盡快提升50納米制程的良率，且轉進(jìn)40納米制程世代，才會(huì )具有成本競爭力。

　　三星電子(Samsung Electronics)日前對于2010年下半DRAM市場(chǎng)發(fā)出供過(guò)于求的悲觀(guān)論調，使得全球DRAM產(chǎn)業(yè)大幅受挫，臺系DRAM廠(chǎng)商8日股價(jià)也以大跌回應。就三星目前46納米開(kāi)始量產(chǎn)，且35納米制程年底前小量產(chǎn)出，2011年躍升為主流制程的進(jìn)度來(lái)看，臺系DRAM廠(chǎng)的技術(shù)進(jìn)度令人擔憂(yōu)。

　　王安亞在半導體趨勢論壇中表示，三星仍存在持續擴大全球DRAM市場(chǎng)的企圖心，因此積極大量投資擴產(chǎn)，并提升制程技術(shù)，目的在于進(jìn)一步拉大與競爭對手的差距，預計三星全球DRAM市占率突破40%門(mén)檻指日可待。

　　反觀(guān)臺系DRAM廠(chǎng)進(jìn)度，南亞科和華亞科目前雖然50納米良率逐漸提升，且產(chǎn)能開(kāi)始增加，但必須加快腳步轉進(jìn)40納米制程世代，才有機會(huì )趕上這一波存儲器產(chǎn)業(yè)復蘇的尾聲。

　　而從DRAM價(jià)格來(lái)看，王安亞也對2011年的價(jià)格走勢看法保守，以過(guò)去10年的歷史經(jīng)驗，平均每年下跌30%幅度，但2009年卻逆勢上漲4倍來(lái)看，預期接下來(lái)DRAM價(jià)格難逃跌勢，預計會(huì )下跌到2011年。