臺晶圓代工訂單沖高　日本與大陸市場(chǎng)扮要角

　　整合元件廠(chǎng)(IDM)在金融海嘯后，輕晶圓廠(chǎng)(Fab-Lite)路線(xiàn)更確立，以往歐美IDM廠(chǎng)為臺系晶圓代工廠(chǎng)訂單主力，但近年來(lái)日本 IDM廠(chǎng)釋單力道增強，尤其在先進(jìn)制程動(dòng)作最為積極，半導體業(yè)者預期，2011年日本IDM廠(chǎng)對臺釋單效應將更明顯，未來(lái)日本將與大陸共同成為臺系晶圓代工廠(chǎng)成長(cháng)重要市場(chǎng)。

　　臺積電董事長(cháng)張忠謀向來(lái)看好IDM廠(chǎng)委外趨勢，在第2季法說(shuō)會(huì )中他特別指出，雖然2009年臺積電在大陸業(yè)務(wù)營(yíng)收首度超越日本市場(chǎng)，但2010年臺積電在日本業(yè)務(wù)出現令人驚喜的巨大增長(cháng)，因此，盡管大陸市場(chǎng)持續走強，但日本市場(chǎng)營(yíng)收貢獻仍將占較大比重。

　　聯(lián)電執行長(cháng)孫世偉指出，金融海嘯后IDM廠(chǎng)加大委外釋單力道，且在諸多領(lǐng)域都有看到IDM廠(chǎng)釋單。全球晶圓(Global Foundries)執行長(cháng)Douglas Grose則認為，為求生存與成長(cháng)，愈來(lái)愈多IDM廠(chǎng)勢必將采行輕晶圓廠(chǎng)策略，外包趨勢將持續下去，代工廠(chǎng)必將受惠。

　　以臺積電來(lái)說(shuō)，第2 季來(lái)自日本地區營(yíng)收比重由首季4%提升到5%，較2009年同期3%成長(cháng);至于第2季來(lái)自大陸地區營(yíng)收比重為3%，較首季2%提升1個(gè)百分點(diǎn)，與2009 年第2季持平。張忠謀亦強調，IDM委外趨勢將持續不衰，未來(lái)10年內幾乎所有IDM廠(chǎng)都將轉型成為無(wú)晶圓廠(chǎng)或極輕晶圓廠(chǎng)(Fab Very Lite)，超越摩爾相關(guān)技術(shù)更是IDM廠(chǎng)委外最主要產(chǎn)品領(lǐng)域。

　　2010年以來(lái)日本IDM廠(chǎng)積極與臺系晶圓代工廠(chǎng)進(jìn)行合作，包括瑞薩陸續關(guān)閉舊廠(chǎng)房，停止28奈米以下制程投資，并將28奈米以下制程芯片委由臺積電與全球晶圓生產(chǎn)。富士通(Fujitsu)則于2010年開(kāi)始在臺積電生產(chǎn) 40奈米芯片，并將與臺積電合作28奈米制程邏輯芯片。

　　不過(guò)，由于40奈米以下先進(jìn)制程目前占整體晶圓代工產(chǎn)值仍不高，28奈米從2010年下半才開(kāi)始進(jìn)入量產(chǎn)，因此，日系IDM廠(chǎng)對晶圓代工廠(chǎng)釋單效應在2010年仍只是起步，業(yè)界預期到2011年將會(huì )有顯著(zhù)成長(cháng)。

　　大陸方面，隨著(zhù)大陸IC設計業(yè)崛起，廠(chǎng)商家數不斷增加，技術(shù)實(shí)力提升，未來(lái)勢必將面臨先進(jìn)制程生產(chǎn)考驗，中芯國際剛宣布量產(chǎn)65奈米制程，40奈米則要到 2011年下半，而這些先進(jìn)制程芯片設計，臺積電、聯(lián)電仍會(huì )是最大受惠者。因此，在日本與大陸成為成長(cháng)雙引擎前提下，臺積電、聯(lián)電2010年大舉提高資本支出，有其必要性。