巴斯夫創(chuàng )造用于集成電路的先進(jìn)電鍍銅化學(xué)品

　　巴斯夫創(chuàng )造出一種先進(jìn)的電鍍銅化學(xué)品，可滿(mǎn)足現今及未來(lái)芯片科技的需求。巴斯夫與IBM于2007年6月開(kāi)始這一聯(lián)合開(kāi)發(fā)項目，這項創(chuàng )新的化學(xué)品解決方案是其直接成果。這種解決方案的表現超越了市場(chǎng)上現有的其它化學(xué)品。

　　兩家公司正擴展他們的合作計劃，以確定量產(chǎn)所需的參數。相關(guān)的技術(shù)、化學(xué)品和材料預計可于 2010年中期上市供應。

　　巴斯夫全球電子材料業(yè)務(wù)部研發(fā)部門(mén)的資深經(jīng)理兼該項目負責人Dieter Mayer表示：“我們?yōu)檫@一創(chuàng )新的化學(xué)品感到興奮無(wú)比。巴斯夫與IBM團隊選擇了一種新的方式，通過(guò)對于沉積銅物理特性的了解來(lái)設計分子添加劑系統。利用巴斯夫與IBM強大的資源，我們已經(jīng)克服了在電鍍銅方面的主要挑戰，朝著(zhù)制造更小、更快、更可靠芯片的目標又邁進(jìn)了一步。”

　　實(shí)現無(wú)缺陷的電導線(xiàn)沉積是成功沉積銅工藝最關(guān)鍵的條件。在電鍍銅沉積工藝中，傳統的等向性充填(conformal fill)會(huì )在形體的上、下、外圍產(chǎn)生同樣的銅沉積率，形成接縫及缺陷。通過(guò)采用巴斯夫的化學(xué)品可以實(shí)現快速的充填，一般稱(chēng)為“超填孔(superfill)”，可以將銅快速的充填至細小的通孔及溝槽，制造出無(wú)缺陷的銅導線(xiàn)。通過(guò)超填充的方式，底部的銅沉積率會(huì )比頂部及外圍更高。

　　銅導線(xiàn)可顯著(zhù)改善芯片效能，這種高傳導性金屬的沉積是建構多層互連結構的關(guān)鍵性工藝。時(shí)下最先進(jìn)的芯片技術(shù)被稱(chēng)為32納米技術(shù)節點(diǎn)，而下一代的22納米技術(shù)預期將于2011年推出。當芯片尺寸越來(lái)越小，互連結構日趨復雜，要制造出高性能的芯片就更需要專(zhuān)門(mén)的化學(xué)知識。同時(shí)，純熟完善的化學(xué)工藝解決方案也是必不可少的。

　　巴斯夫的電鍍銅化學(xué)品已經(jīng)可以應用在32納米和22納米的芯片技術(shù)中，能明顯改善芯片銅導線(xiàn)的可靠性，提升芯片的性能和質(zhì)量。