三星推出8GB FB-DIMM服務(wù)器存儲器

      Samsung公司推出新的8GB產(chǎn)品用于服務(wù)器.在十月份推出的8GB注冊雙列直插存儲器模塊(R-DIMM),Samsung現在增加它的全緩沖雙列直插存儲器模塊(FB-DIMM),包括采用80nm 2Gb DDR的8GB,用于高速服務(wù)器.這種器件代表了在高檔服務(wù)器存儲器架構中重大意義的飛躍. 
       采用Samsung的大容量存儲器將會(huì )增加所安裝的存儲器的容量,并為未來(lái)的升級保留了插槽.諸如新的8GB FB-DIMM的Samsung存儲器非常適合用在空間限制的刀片和1U服務(wù)器. 
       FB-DIMM架構克服了以前每通路兩到四個(gè)模塊的容量限制.FB-DIMM系統的DRAM模塊能增加到8個(gè)模塊之多而不會(huì )降低速度.新系統能以和先進(jìn)存儲器緩沖器(AMB)芯片一樣的速度處理增加數量的數據,這些AMB在系統中點(diǎn)對點(diǎn)連接到每個(gè)模塊 
.其結果是,需要大容量DRAM的服務(wù)器市場(chǎng)期望大幅度增加. 
       采用Samsung的大容量存儲器模塊,設計者能采用增加存儲器支持最新的服務(wù)器操作系統,以最大化它的性能.此外,Samsung還提供下一代存儲器解決方案如8GB FB-DIMM,使得服務(wù)器能從最終的存儲器容量和帶寬中受益. 
       Samsung的成套產(chǎn)品系列包括從DDR到DDR2所有的DRAM存儲器,容量范圍從512MB到8GB的R-DIMM到FB-DIMM存儲器. 
       FB-DIMM標準已被JEDEC所采納,為設計者在下一代DRAM和系統設計中提供了在R-DIMM和FB-DIMM間進(jìn)行選擇.它是在現有的DRAM模塊中增加AMB芯片,使得模塊中的DRAM能通過(guò)AMB芯片和系統進(jìn)行通信. 
       市場(chǎng)研究公司Dataquest預測,全世界的服務(wù)器DRAM市場(chǎng)在2006年將會(huì )達到34.1B MB.

（摘自http://www.ednchina.com）

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