美光公布最新路線(xiàn)圖公布：全新GDDR7、HBM4E、MCRDIMM曝光
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11月14日消息，存儲芯片大廠(chǎng)美光近期公布了最新路線(xiàn)圖，包括DDR5、GDDR7和HBM4E內存技術(shù)，其中GDDR7將會(huì )在明年底推出，趕上下一代英偉達（NVIDIA）GPU芯片。
美光公布的最新路線(xiàn)圖進(jìn)一步展示了到2028年的規劃，比今年7月發(fā)布的路線(xiàn)圖延長(cháng)了兩年，內容也進(jìn)行了調整，增加了幾款新產(chǎn)品。
目前美光的第二代HBM3傳輸速率為1.2TB/s，8層堆疊。美光預計將在2026年推出12和16層堆疊的HBM4，帶寬超過(guò)1.5TB/ s；到2027~2028年，還將發(fā)布12層和16層堆疊的HBM4E，帶寬可達2TB/s以上。
至于GDDR7上市時(shí)間有些改變，從2024上半年延后到2024年年底，與目前最快的GDDR6X模塊（最高容量為16Gb，帶寬為24Gb/s）相比，容量和帶寬都提高。首批GDDR7容量提高至24Gb，帶寬為32Gb/s；到2026年下半年，會(huì )推出更快的GDDR7，帶寬也將提高到36Gb/s。英偉達曾表示Blackwell將于2025年面世，而英偉達下一代GeForce RTX 50系列有望使用美光GDDR7內存。
DDR5內存部分，美光將為消費者和數據中心設定不同的產(chǎn)品線(xiàn)，計劃基礎是新的32Gb單體設計。這種高容量模塊將應用于128GB DDR5-8000內存條，一直延伸至2026年供桌機用戶(hù)使用。
同時(shí)美光還開(kāi)發(fā)用于服務(wù)器的MCRDIMM產(chǎn)品，速度為8000 MT/s。這種設計的巔峰將是2025年底推出的256GB內存條，運行速度為12800Mb/s。
至于面向移動(dòng)市場(chǎng)的LPDDR產(chǎn)品，美光將在2024年底采用Dell CAMM標準，焦點(diǎn)似乎在提高容量而非帶寬，公司也表示將在2026年前使用8533Mb/s速率的內存條。第一代設計每條將提供16GB至128GB容量，到2026下半年，每個(gè)模塊容量將增至192GB或更高。
編輯：芯智訊-林子
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